Истинное поле

Cтраница 2

Под напряженностью поля в диэлектрике понимают значение Е, получающееся усреднением истинного поля по бесконечно малому объему; Истинное ( микроскопическое) поле в диэлектрике сильно меняется в пределах межмолекулярных расстояний. [16]

Фактор ориентации / как функция параметра а при различных значениях осевого отношения р для системы жестких эллипсоидальных частиц в ламинарном потоке. [17]

Если растворенные частицы имеют размеры, сравнимые с размерами молекул растворителя, то истинное поле, действующее на частицу, отличается от среднего ( макроскопического) электрического поля световой волны, действующего в растворе. [18]

Поэтому найденное в результате приближенного решения электромагнитное поле будет в какой-то степени отличаться от истинного поля в переднем полупространстве. Рассмотрим, например, значение составляющей Ег, касательной при 9 тг / 2 к плоскости экрана. [19]

Однако одних этих магнитных зарядов недостаточно, чтобы созданное ими поле Я совпало с истинным полем намагниченности. [20]

Другими словами, считается, что в каждый момент времени неравновесная функция распределения в истинном поле совпадает с равновесной функцией распределения в эффективном поле. [21]

При малом отклонении от геометрической оптики компоненты разложения поля UQ можно считать совпадающими с компонентами истинного поля дифрагированного света, так что формула (61.1) решает поставленную задачу. [22]

Для железа х 1000; таким образом, даже для k 100 величина xN - 5 и истинное поле, действующее на ферромагнетик, в шесть раз отличается от внешнего. [23]

При этом в области, свободной от источников, вихревые поля, созданные эквивалентными токами, совпадают с истинными полями. [24]

Для вычисления поля, дифрагированного на экране, можно предположить ( по аналогии с принципом Кирхгофа в скалярной теории дифракции), что истинное поле на диафрагме ( отверстии) совпадает с невозмущенным падающим полем, а непосредственно за экраном поле равно нулю. [25]

Поэтому встает задача связать / и х ( е) чтобы по вычисленному с помощью квантовой механики отклику на внешнее поле найти отклик на истинное поле в среде. [26]

Если тангенциальные компоненты Е, Яе подчинить на границе тем же условиям ( 2Л), (2.5) или (2.8), которым должны удовлетворять тангенциальные компоненты истинного поля Я, Я, то в ( 11.19 а) поверхностного интеграла не будет. Интеграл по бесконечно удаленной сфере тоже будет равен нулю, если все токи расположены в конечной ча. [27]

В предыдущих расчетах не учитывалось влияние формы образца, а для ферромагнетиков она имеет большое значение, так как из-за наличия большого спонтанного магнитного момента у ферромагнетиков истинное поле внутри образца может значительно отличаться от внешнего. [28]

При этом надо пользоваться полями Е ( е и Ше) с непрерывными на S тангенциальными компонентами, а на всех остальных поверхностях удовлетворяющими тем же условиям, что и истинное поле Е, Н, в частности - условиям излучения, если область незамкнута. [29]

Поэтому, если найдено решение уравнения АН % 0 с точностью до членов порядка kp ( включительно), то можно считать, что оно представляет собой с той же степенью точности истинное поле. Как видно из (1.1.8), это решение будет использоваться лишь на контуре провода и на линии у 0 между проводниками. [30]

Страницы: 1 2 3 4