Октаэдрическое поле

Cтраница 4

Очевидно, что сила поля четырех лигандов меньше силы октаэдрического поля, поэтому параметр расщепления тетраэдрическим полем Дт всегда меньше, чем октаэдрическим. [46]

Рассмотрим заполнение t2g - и ег-орбиталей несколькими J-электро-нами в октаэдрическом поле. Если Энергия межэлектронного отталкивания меньше чем 10Д, ( сильное поле), произойдет спаривание на - орбитали, если больше ( слабое поле), электрон займет одну из g - орбиталей. [47]

А в тетраэдрическом окружении составляет 4 / 9 ее ве-в октаэдрическом поле. Его определяют экспе-по спектрам поглощения комплексов или рассчитывают теоретически методами квантовой химии. Дело в том, что при неполном заполнении подуровней ds и dy появляется возможность перехода электронов с нижнего уровня на верхний, что сопровождается поглощением соответствующего кванта энергии в спектре и изменением окраски комплекса, если это поглощение происходит в видимой части спектра. Если ионы имеют все 10 d - электронов, такие переходы невозможны. Поэтому ионы Cu, Ag, Zn2, Cd2, Hg2 с электронной конфигурацией dw бесцветны. [48]

Расщепление d - подуровня в полях симметрии Он ( а и Та ( б. [49]

Обозначения орбиталей, возникающих при расщеплении d - под-уровня в октаэдрическом поле, происходят от наименования НП Е и 7 og, Это не случайно. Теория групп позволяет просто рассмотреть поведение орбиталей центрального иона в полях различной симметрии. [50]

Интересен случай, когда ион с конфигурацией d4 находится в чисто октаэдрическом поле. Тогда орбитальные состояния 2S), 0) принадлежат одному уровню энергии, и с учетом спина 5 2 мы имеем мультиплет из 10 состояний, который расщепляется в приближении второго порядка благодаря спин-орбитальной связи ( порядка А2 / Д) и спин-спиновому взаимодействию. [51]

Заполнение с ( - электронами орбиталей в октаэдрическом поле. а - слабое поле. б - сильное поле. [52]

Рассмотрим заполнение tzg и eg орбиталей несколькими d - электро-нами в октаэдрическом поле. При конфигурации d4 четвертый электрон может занять свободную орбиталь, для чего нужна энергия 10 Dq, либо одну из - орбиталей, уже занятую одним электроном. Для этого нужна энергия на преодоление межэлектронного отталкивания еотт на орбитали tzg при спаривании. [53]

Определим положение уровней eg и t2g относительно d - под-уровня в октаэдрическом поле шести лигандов. Между уровнями eg и t g энергия распределяется в зависимости от числа расположенных на них орбиталей в соответствии с принципом сохранения центра тяжести. Согласно этому принципу сумма произведений энергий подуровней, образовавшихся в результате расщепления, на число расположенных на них орбиталей равна произведению суммарной энергии подуровня до расщепления на число орбиталей на нем. [54]

Покажите с помощью диаграммы расщепления, какие rfn - конфигурации в октаэдрическом поле могут давать как высокоспиновые, так и низкоспиновые комплексы. [55]

Основным состоянием газообразного иона является 3F, причем низшее положение в октаэдрическом поле занимает орбитальный синглет rf - Оболочка заполнена более чем наполовину, поэтому спин-орбитальное взаимодействие ведет к значению g - фактора, превышающему значение для свободного электрона. Расщепление в нулевом поле делает трудной регистрацию спектров ЭПР, если только не использовать низкие температуры. Найденные значения g - фактора обычно близки к изотропным. [56]

Это приводит к расположению уровней d i и сГ г-орбиталей в октаэдрическом поле лигандов на 3 / 5Доь выше, a dxy, dtfz, d - орбиталей на 2 / бД ниже уровня невозмущенных d - орбиталей. [57]

Такая же связь существует и между диаграммами энергетических уровней сКсистем в тетраэдрическом и октаэдрическом поле. Порядок в расположении компонент, на которые расщепляется каждый терм схемы Расселла - Саундерса, меняется на обратный при переходе от тетраэдрического к октаэдрическому полю. Более того, здесь так же, как и в случае одного электрона, величина расщепления в тетраэдре при прочих равных условиях составляет 4 / 9 величины расщепления в октаэдре. [58]

Страницы: 1 2 3 4