Поликремний
Cтраница 1
Поликремний, как это следует из его названия, имеет поликристаллическую структуру, т.е. состоит из множества мелких кристаллов или зерен. Размер этих зерен и их ориентация называются текстурой, которая также оказывает сильное влияние на электрические свойства Si пленок. [1]
Поликремний ( Si) под пленкой силицида вольфрама в поли-цидной структуре может выступать как источник атомов кремния при температурах окисления. Но если на поверхности раздела Si / WSix есть участки окисла, то они могут локально блокировать диффузию атомов кремния и вызывать пустоты и потерю адгезии на поверхности раздела. Высокое содержание атомов кремния в пленке силицида вольфрама увеличивает ее удельное сопротивление. [2]
Поверхностное сопротивление поликремния может быть изменено на несколько порядков величины с помощью ионной имплантации. Это позволяет использовать этот материал для создания высокоомных резисторов в статических ОЗУ вместо транзисторов, работающих в режиме обеднения ( со встроенным каналом) и играющих роль нагрузки. Выбор высоких значений сопротивлений обусловлен необходимостью уменьшения рассеиваемой мощности в элементе в статическом режиме. [3]
Наносят слой нелегированного поликремния 4, проводят его локальное травление и легирование бором. Ионным легированием бором формируют активные базовые области / переключательных транзисторов, расположенные на уровне поликремниевых электродов. В результате образуются контакты с боковой поверхностью базы. Ионным легированием мышьяком создают коллекторные области 2п - типа. [4]
Если резисторы выполняют из поликремния в слое, расположенном на поверхности кристалла, то площадь элемента ШТЛ практически такая же, что и элемента И2Л с окисным разделением и диодами Шотки. Недостатком элементов ШТЛ является более сложная технология ( как и элементов И2Л с двумя типами диодов Шотки), что обусловлено необходимостью изготовления двух типов диодов Шотки с разными прямыми напряжениями. [5]
Она содержит три слоя поликремния. Во втором слое формируется плавающий затвор 4, в третьем шина А. [6]
Весьма перспективным является использование поликремния в конструкции инжекционных БИС в качестве материала для активных областей элемента ( коллектора и эмиттера) и пассивной ( низкоомной базы) п - р - n - транзистора. Использование в конструкции поликремниевых диодов позволяет не только повысить быстродействие элемента, но и существенно расширить его функциональные возможности. [7]
Удельное сопротивление легированных пленок поликремния зависит как от концентрации и вида легирующих примесей, так и от структуры пленок Основной контроль концентрации легирующей примеси в поликремниевой пленке связан с контролем ее потока ( Q) в процессе осаждения. [8]
Основное требование к пленкам поликремния при формировании плавающих затворов - возможность выращивания на его поверхности слоев оксида кремния с высокими пробивными напряжениями и низкими токами утечки, так как это определяет время хранения заряда на плавающем затворе. [9]
С ростом температуры проводимость слаболегированного поликремния и остаточный ток транзистора пропорционально увеличиваются по одному и тому же закону ехр ( - & E3 / 2kT), поэтому приведенное выше неравенство обеспечивается в широком интервале температур. Из-за снижения R при повышении температуры возрастает потребляемая мощность. В режиме хранения можно снизить напряжение питания до f / и.и. хр 1 В, тогда как в режиме выборки его повышают ( например, до с / и.п. выб 5 В) для уменьшения времени считывания. [10]
В дырки способствуют ускорению наращивания поликремния. [12]
Условия процесса и свойства пленок поликремния сильно зависят от типа используемого реактора. [13]
Оба транзистора имеют общий затвор из поликремния, что удобно в цифровых микросхемах, содержащих комплементарные пары транзисторов с соединенными затворами ( см. гл. Таким образом, комплементарная пара вместе с соединениями занимает такую же площадь, как один транзистор с каналом л-типа. [14]
Резисторы создают либо в том же слое поликремния, который используется для формирования затворов, либо во втором уровне поликремния, при этом для экономии площади элемента резистор располагают над активной площадью элемента. При таком варианте площадь ячейки статических ОЗУ может быть уменьшена вдвое по сравнению с площадью, расходуемой в случае ячейки с традиционной транзисторной нагрузкой. При относительно высоких напряжениях поликремниевые резисторы приобретают нелинейные характеристики. [15]
Страницы: 1 2 3 4