Поликремний

Cтраница 2

На границе монокристаллической эмиттерной области со слоем поликремния ( см. рис. 3.11) скорость поверхностной рекомбинации значительно ниже, чем на границе с металлом. Это позволяет создавать эмиттерные области толщиной менее 0 1 мкм. [16]

Затворы активных транзисторов ( За13а2) выполнены из поликремния, который используется в качестве входных проводников. Поликремниевый затвор пассивного транзистора ( Зп) соединен с его истоком ( областью Саа, Яп) металлическим проводником ( А1), который является одновременно и выходным. Контакты между проводниками и п - областями или поликремниевыми слоями обозначены SA. Длина канала активных транзисторов La выбирается минимальной, а ширина ba - в несколько раз больше для получения достаточно большого тока и высокого быстродействия. [17]

Замена металлического контакта к эмиттерной области контактом из поликремния л - типа позволяет уменьшить толщину эмиттера ( глубину залегания эмиттерного р-п перехода) до 50 нм. [18]

Структура, состоящая из пленки силицида вольфрама, лежащей на слое поликремния, называется полицидной структурой и используется в качестве затворного электрода в МОП транзисторах вместо стандартной пленки легированного поликремния. Пленки силицида вольфрама термически совместимы с поликремнием и обладают аналогичными свойствами к воздействию окислительных сред и химических реагентов. [19]

На поверхность микроструктуры со вскрытыми в двуокиси кремния отверстиями к областям затворного поликремния и исток / стока монокремния МОП транзисторов наносится пленка титана, обычно методом ФОГФ. [20]

Материалы для удаления фоторезистов. [21]

Посредством травления удаляют слои диоксида кремния ( SiO2), металлов и поликремния, а также резисты в соответствии с желаемыми рисунками, сформированными резистом. Существует два основных вида травления: жидкостное и сухое. Чаще применяется жидкостное травление. В основе его лежит использование растворов, содержащих травители ( обычно это кислотные смеси) нужной концентрации, которые вступают в химическую реакцию с материалами, подлежащими удалению. Сухое травление включает применение реактивных газов в вакуумной камере с высоким напряжением, что также позволяет удалять слои, не защищенные резистом. [22]

ИС выполнены по п-канальной МПД технологии с плавающим затвором с двумя слоями поликремния и туннельным прозрачным слоем. [23]

Еще большего увеличения быстродействия достигают заменой металлических затворов на тонкие пленки из хорошо проводящего поликремния. В таких микросхемах время задержки не превышает 10 - 15 не. [24]

Ьвполисапробы ( микроорганизмы, способные жить в различных органических загрязнителях) polysemanticism многозначность poly silicon поликремний porysiloxanexww. [25]

Толщина диоксида может быть увеличена в несколько раз, если использовать туннелирование с шероховатой поверхности поликремния. Плавающий затвор 2 создают нанесением второго, а затвор управления 3 -третьего слоя поликремния. [26]

В эпитаксиальном слое сформирована вторая канавка, стенки которой покрыты тонким слоем диоксида 5, заполненная поликремнием 6, выполняющим функцию затвора транзистора и шины X. Ионным легированием создан слой 7, являющийся одной из п - областей транзистора и одновременно шиной Y. Канал образуется между слоями 7 и 4 на боковых стенках канавки. [27]

В таблице 3.3 приведены значения разности работ выхода ( 0М - 0s) для затворов из алюминия и поликремния. [28]

Отжиг в течение 30 мин при Т - 850 С в воздухе также уменьшает удельное сопротивление легированных пленок поликремния за счет перевода атомов легирующей примеси в электрически активное состояние. [29]

В субмикронной КМОП технологии в качестве затворов полевых транзисторов используется структура, называемая полицид и состоящая из последовательности слоев поликремния и силицида тугоплавкого металла. [30]

Страницы: 1 2 3 4