Cтраница 4
Микросхема представляет собой программируемую логическую интегральную схему ( ПЛИС) с электрическим программированием и УФ стиранием информации, содержащую 716 эквивалентных вентилей и предназначенную для построения систем обращения микропроцессоров и устройств вычислительной техники. Выполнена на КМОП технологии с одним уровнем металлизации и двумя уровнями поликремния. Содержит 16 двунаправленных выходов и 16 макроэлементов. [46]
Толщина диоксида может быть увеличена в несколько раз, если использовать туннелирование с шероховатой поверхности поликремния. Плавающий затвор 2 создают нанесением второго, а затвор управления 3 -третьего слоя поликремния. [47]
Технология изготовления БИС постоянно совершенствуется. Повышение интеграции БИС обеспечивается применением многоуровневой разводки, использованием в качестве проводящего слоя поликремния. Так, использование поликремния в качестве затвора МДП -, КМДП - и ПЗС-структур позволило повысить стабильность поверхностного заряда и значительно снизить пороговое напряжение МДП-транзистора. [48]
Такими покрытиями являются слои фос-форно-силикатного стекла, оксида, нитрида и оксинитрида кремния и поликремния, арсе-нид-фосфид индия, кремния, арсенида галлия. [49]
С помощью второй фотолитографии в окна, предназначенные для транзисторов со встроенным каналом, производят ионное внедрение доноров ( фосфора) В соответствующих слоях 10 происходит перекомпенсация акцепторов донорами и их проводимость изменяется с дырочной на электронную - образуются встроенные каналы. Далее формируют подзатворный диоксид кремния 9 ( рис. 4.2, г), наносят на него слой поликремния и с помощью третьей фотолитографии получают рисунок затворов и поликремниевых проводников. [50]
Для этих целей, как правило, используют легированные в процессе роста аморфные пленки, далее подвергнутые рекристаллизации при более высоких температурах. Эти слои имеют по сравнению с осажденными поликристаллическими пленками более совершенную структуру и гладкие поверхности, что обеспечивает более совершенную границу раздела поликремний - оксид кремния. [51]
Основной операцией при создании полной диэлектрической изоляции в структурах КНД является формирование монокристаллических пленок кремния на диэлектрике. Для изготовления КНД применяются следующие методы: локальная гомоэпитаксия, графоэпитаксия, рекристаллизация из расплава, метод имплантации каналлируемых ионов кремния в пленку поликремния, нанесенную на оксид, с последующей рекристаллизацией. [52]