Поликремний
Cтраница 3
Резисторы создают либо в том же слое поликремния, который используется для формирования затворов, либо во втором уровне поликремния, при этом для экономии площади элемента резистор располагают над активной площадью элемента. При таком варианте площадь ячейки статических ОЗУ может быть уменьшена вдвое по сравнению с площадью, расходуемой в случае ячейки с традиционной транзисторной нагрузкой. При относительно высоких напряжениях поликремниевые резисторы приобретают нелинейные характеристики. [31]
Реакторы для травления также обрабатывают по одной пластине и производят селективное удаление пленок алюминия, вольфрама, кремния, поликремния, двуокиси кремния и фоторезиста, а также бесчисленных загрязнений. Данная технология требует огромного количества воды и электроэнергии. Планаризация ( получение плоских пленок) осуществляется способом влажной химической и механической полировки. Попросту говоря, дело заключается в следующем. [32]
Эта обедненная область добавляет от 0 2 до 0 5 нм к электрически эффективной толщине окисла в зависимости от уровня легирования поликремния, что приводит к нестабильной работе ИМС. [33]
На рис. 9.8 показана простейшая структура, в которой области / и 2 л - типа образуют исток и сток транзистора, а слой поликремния - его затвор ( 3), являющийся одновременно шиной строки X, проходящей в направлении, перпендикулярном чертежу. Область / служит также одним из электродов запоминающего конденсатора. [34]
Для термоактивированных процессов ХОГФ без газофазных реакций, таких как получение пленок SiO2 пиролизом TEOS в процессе LP LT CVD SiO2 ( TEOS-He), получение пленок поликремния пиролизом SiH4 в процессе LP LT CVD Si ( SiH4 - H2), получение пленок W в процессе LP LT CVD W ( WF6 / H2), эти два режима, лимитированные соответственно доставкой реагентов и химической реакцией, могут быть легко выявлены. [35]
Пленки аморфного ( Sia) и гидрогенизированного ( содержащего водород) аморфного ( SiaH) кремния являются основой производства солнечных батарей и различных фотоэлектрических приборов, а пленки поликремния с полусферическими зернами ( hemispherical grains) ( SiHSG), позволяющие значительно увеличивать площадь поверхности, используются при формировании конденсаторов с высокой емкостью в ОЗУ. [36]
Структура, состоящая из пленки силицида вольфрама, лежащей на слое поликремния, называется полицидной структурой и используется в качестве затворного электрода в МОП транзисторах вместо стандартной пленки легированного поликремния. Пленки силицида вольфрама термически совместимы с поликремнием и обладают аналогичными свойствами к воздействию окислительных сред и химических реагентов. [37]
Одним из первых и наиболее широко распространенных методов изоляции элементов в ИМС с помощью диэлектрика является эпик-процесс, при котором для изоляции используется тонкий слой SiO2, Si3N4 или SiO2 - f Si3N4, а для подложки - поликремний. Первая операция заключается в локальном, травлении кремниевого монокристалла, затем поверхность кремния окисляют и получают изоляционный слой SiO2 толщиной около 1 мкм. На окисленную поверхность кремния наращивают эпитаксиальный поликристаллический кремний толщиной 300 - 500 мкм. [38]
В последнее время пленки ОНК стали широко использоваться в качестве неорганических диэлектрических антиотражающих покрытий ( АОП) ( antireflective coating - ARC) для повышения разрешающей способности фотолитографии ( особенно фотолитографии в глубоком ( Х 300 нм) ультрафиолете - ГУФ фотолитографии - DLJV photolithography) при формировании фоторезистивных масок ( ФРМ) на слоях поликремнии и металлизации. [39]
Далее производится нагрев полученного SiHCl3 в среде Нг для его термического восстановления и на Si-стержне происходит осаждение Si. Известен также метод получения поликремния термическим разложением моносилана. [40]
 |
Структура ПЗУ, программируемого пользователем. [41] |
Накопитель содержит 210 транзисторов ( элементов памяти), образующих 32 строки и 32 столбца. Перемычка изготовляется из нихрома, поликремния или титаната вольфрама и имеет сопротивление в несколько десятков ом. [42]
Структура, состоящая из пленки силицида вольфрама, лежащей на слое поликремния, называется полицидной структурой и используется в качестве затворного электрода в МОП транзисторах вместо стандартной пленки легированного поликремния. Пленки силицида вольфрама термически совместимы с поликремнием и обладают аналогичными свойствами к воздействию окислительных сред и химических реагентов. [43]
В качестве диэлектрика 2 выбирают материал с большей, чем у SiO2, диэлектрической проницаемостью. В этом случае для создания слоев / и 3 применяют сильнолегированный поликремний. Окись тантала увеличивает удельную емкость в 6 5 раз, слой / представляет собой пленку тантала, а слой 5 - пленку молибдена. Это дает возможность создавать СБИС с информационной емкостью более 1 Мбит. [44]
Пленки нитридов вольфрама ( WNx), карбидов вольфрама ( WCx) и карбонитридов вольфрама ( WCxNy) используются в качестве барьерных слоев в системах металлизации на основе меди для микросхем с уровнем технологии ( УТ) 130 нм и меньше. Они предотвращают диффузию атомов меди в слои оксида кремния, поликремния и монокремния. [45]
Страницы: 1 2 3 4