Верхняя полуплоскость

Cтраница 2

Диаграмма границ устойчивости для второго элементарного процесса при наличии потерь. [16]

ST в верхней полуплоскости соответствует неустойчивому процессу. [17]

Рассмотрим вариацию верхней полуплоскости. [18]

Поле в верхней полуплоскости ( там, где расположен ток /) ( см. рис. 3 - 13 6) определится от двух токов: от заданного - / t и от фиктивного - / 2, причем и верхнее и нижнее полупрост - ранства при этом заполняет среда с магнитной проницаемостью ( AJ. [19]

Поэтому в верхней полуплоскости допустимы только те значения &, при которых произведение fWM (, k) f ( х, k) сходится к постоянной при х - - оо. [20]

Но в верхней полуплоскости ( со 0) функция е ( со) не имеет и таких точек неоднозначности. [21]

Полуокружность в верхней полуплоскости соответствует положительным, в нижней - отрицательным со; при о оо имеем точку К. [22]

Угол в верхней полуплоскости, заключенный между биссектрисами координатных углов. [23]

Переход из верхней полуплоскости в нижнюю называют положительным, а обратный переход - отрицательным. Если кривая W ( ш) начинается на отрезке действительной оси ( - со, - 1), то считается, что характеристика при ( 00 совершает половину перехода. [24]

Все точки верхней полуплоскости являются неособыми, исключая точки, лежащие на оси Ох. Все последние точки являются особыми, так как в них нарушено условие Липшица. [25]

Отобразим часть верхней полуплоскости DABCE так, чтобы точка z - со перешла в точку № оо. [26]

Мы рассматриваем верхнюю полуплоскость, поэтому v направлена в сторону отрицательных у, так что cos ( v, л) 0, cos ( v, j /) - L Учтя теперь условие ( 6), мы получим V0, Kv - зу. [27]

Отобразим конформно верхнюю полуплоскость Im z 0 на внутренность единичного круга w 1 так, чтобы заданная точка ZQ XQ ъуо ( уо 0) перешла в центр w 0 этого круга. [28]

Таким образом, верхняя полуплоскость z представляется на фиг. [29]

Для римановой поверхности верхняя полуплоскость Im z О служит ее универсальной накрывающей. [30]

Страницы: 1 2 3 4