Полупроводник - тип
Cтраница 1
Полупроводники типа р, так же как и полупроводники типа п, обладают во много раз лучшей электропроводностью по сравнению с чистыми полупроводниками. [1]
Полупроводники типа р содержат неподвижные отрицательные ионы и подвижные положительные заряды - дырки. [2]
Полупроводники типа Ga2Se3, как показано в ряде работ ( см., например, [ 10, стр. [3]
 |
Цветная маркировка диодов. [4] |
Полупроводником дырочного типа служит селен, а полупроводником электронного типа - сульфид или се-ленид кадмия, образующиеся в результате химического соединения в процессе технологического изготовления выпрямителей. Элементы выпрямителей представляют собой пластинки различных размеров и формы: квадратные, круглые, с центральным отверстием и без отверстия. [5]
Через полупроводник типа п протекает ток от стока к истоку, и эта часть устройства называется каналом. [6]
 |
Каналы в приповерхностных областях р-п-перехода. [7] |
Для полупроводника типа р положительный заряд будет отталкивать дырки и притягивать электроны. Таким образом, увеличение IК0 с возрастанием содержания влаги на поверхности объясняется либо ионной, либо канальной проводимостью. [8]
 |
Принципиальная схема действия полупроводникового выпрямителя. [9] |
Электроны полупроводника типа п устремятся к положительному полупроводнику и перейдут границу между ними, а положительные заряды полупроводника типа р устремятся к отрицательному полупроводнику и также перейдут границу. Таким образом, полупроводник типа п, теряя электроны, заряжается положительно, а полупроводник типа р, теряя часть положительных зарядов, заряжается отрицательно. [10]
Масс-спектры полупроводников типа AoBj1 подобны, структура пленок, напротив, различна. [11]
В полупроводниках типа n число электронов, отдаваемых атомами-донорами, значительно больше числа свободных электронов и дырок, обусловленных тепловым возбуждением. В этом случае дырки являются неосновными носителями зарядов. [12]
В полупроводнике типа п число свободных электронов превышает число дырок, поэтому эти электроны называются основными носителями заряда, а дырки - неосновными носителями. В полупроводнике типа р, где число дырок превышает число электронов, дырки являются основными носителями, а электроны - неосновными носителями заряда. [13]
 |
Схема режимов работы р-п-перехода. [14] |
В полупроводниках типа р основные носители тока - дырки, а неосновные - электроны. При анализе явлений в полупроводниках обычно рассматривают различные виды электронно-дырочного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4