Полупроводник - тип
Cтраница 2
В полупроводниках типа Ge и Si, где экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в разных точках зоны Бриллуэна вблизи пороговой частоты ЙЮп Sg, возможны только непрямые переходы с вершины валентной зоны в один из минимумов зоны проводимости в точке L или А. [16]
В многочисленных полупроводниках типа - Ge, в сильных ( греющих электронный газ) Е, кроме поперечной, наблюдается также продольная анизотропия а, под которой понимают различия в полевых зависимостях а ( Е) для различных кристаллографических направлений. [17]
 |
Электронно-дырочный переход. [18] |
Рассмотренные нами полупроводники типов п и р не могут выпрямлять переменный ток, так как величина тока, проходящего через них, при любой полярности проводимого напряжения не изменяется. Основным элементом полупроводниковых приборов является контакт между двумя полупроводниками с различными типами проводимости. Такой контакт называется электронно-дырочным переходом или р-л-переходом. [19]
Рассмотренные нами полупроводники типа п и типа р не могут выпрямлять переменный ток, так как величина тока, проходящего через такие полупроводники, при любой полярности подводимого напряжения не изменяется. [20]
Пограничные области полупроводников типов р и п, находящиеся в пределах двойного электрического слоя, лишаются части своих основных носителей зарядов и имеют высокое электрическое сопротивление. Они называются запирающим слоем. [21]
Пограничные области полупроводников типов рил, находящиеся в пределах двойного. [22]
Электроны в полупроводнике типа п и дырки в полупроводнике типа р называются основными носителями заряда; небольшое количество свободных электронов в полупроводнике типа р и дырок в полупроводнике типа п называются неосновными носителями заряда. [23]
Так в полупроводнике типа п основными носителями заряда являются электроны, в полупроводнике типа р - дырки. [24]
Электроны в полупроводнике типа п и дырки в полупроводнике типа р называются основными носителями заряда; небольшое количество свободных электронов в полупроводнике типа р и дырок в полупроводнике типа п называются неосновными носителями заряда. [25]
Однако в полупроводниках типа JnSb, GaAs, JnP и др., где экстремумы обеих зон находятся в одной и той же точке, в данном случае в центре зоны Бриллуэна, и где поэтому возможны прямые переходы зона - зона с излучением или поглощением только одного фотона, излучательная рекомбинация может быть одним из доминирующих механизмов, особенно при больших уровнях инъекции и при низких температурах, когда вероятность безызлучательных переходов уменьшается. В этих случаях прохождение тока через р - re - переход сопровождается интенсивным свечением области р - тг-перехода. Такие светящиеся или, как их называют, люминесцентные диоды находят применение в качестве маломощных весьма экономичных источников света. [26]
Поскольку в полупроводниках типа GII следы растворителя могут входить не только в узлы, но и в протяженные дефекты, особенно в микрокаверны, для полупроводников практически тип Glla переходит в тип GII6 и с этим необходимо заранее считаться. Если осуществлять кристаллизацию АВ из раствора в А, где имеется избыток компонента А, кристалл же является фазой переменного состава, например ABi y [ ], то вхождение А в решетку кристалла влечет за собой увеличение значения индекса у и обычно ( исключением является, например, теллурид цинка [94]) концентрации заряженных вакансий в подрешетке В. [27]
Поскольку в полупроводниках типа GII следы растворителя могут входить не только в узлы, но и в протяженные дефекты, особенно в микрокаверны, для полупроводников практически тип Glla переходит в тип GII6 и с этим необходимо заранее считаться. Если осуществлять кристаллизацию АВ из раствора в А, где имеется избыток компонента А, кристалл же является фазой переменного состава, например ABi, [ ] y, то вхождение А в решетку кристалла влечет за собой увеличение значения индекса у и обычно ( исключением является, например, теллурид цинка [94]) концентрации заряженных вакансий в подрешетке В. [28]
В этом случае полупроводник типа п образуется в виде сульфида кадмия в результате соединения части серы с кадмием. [29]
Сг разряжается через полупроводник типа р-п-р-пи диод Пг; кривая хода процесса показана на фиг. Ток через Rz определяется напряжением питания ( напряжение на заряженном конденсаторе) и сопротивлением цепи, исключая Лг. Возможны токи порядка 10 - 20 а при времени нарастания импульсов 10 - 30 мксек. [30]
Страницы: 1 2 3 4