Полупроводник - тип - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если вам долго не звонят родственники или друзья, значит у них все хорошо. Законы Мерфи (еще...)

Полупроводник - тип

Cтраница 3


31 Прохождение тока в селеновом вы - [ IMAGE ] Вольт-амперная прямителе. характеристика селено. [31]

У селеновых выпрямителей положительный полупроводник типа р-селен сочетается со специальным сплавом металлов олова и кадмия. Между селеном и сплавом образуется тонкий запирающий слой толщиной около 0 00001 мм.  [32]

33 Схема образования и заполнения дырок.| Схема образования электронной.| Схема образования дырочной проводимости при введении примеси бора в кристалл кремния. [33]

Если объединить два полупроводника типа п и р, то в месте соединения образуется зона разграничения.  [34]

35 Метод определения типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла. б - при помощи нагревания одного из концов испытуемого полупроводника. [35]

В случае испытания полупроводника типа я в горячем конце в результате затраты внешней тепловой энергии будет освобождено большее число электронов, чем в холодном конце, и поэтому они начнут посредством диффузии распространяться к холодному концу, где их в свободном состоянии было меньше. Вследствие ухода электронов горячий конец зарядится положительно, а холодный - отрицательно.  [36]

37 Метод определения типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла. б - при помощи нагревания одного из концов испытуемого полупроводника. [37]

В случае испытания полупроводника типа п в горячем конце в результате затраты внешней тепловой энергии будет освобождено большее число электронов, чем в холодном конце, и поэтому они начнут посредством диффузии распространяться к холодному концу, где их в свободном состоянии было меньше. Вследствие ухода электронов горячий конец зарядится положительно, а холодный - отрицательно.  [38]

39 Метод определения типа электропроводности полупроводников. а - при помощи эффекта Холла, б - при помощи нагрева одного из концов испытуемого полупроводника. [39]

В случае испытания полупроводника типа п в горячем конце, за счет затраты внешней тепловой энергии, будет освобождено большее число электронов, чем в холодном конце, и они начнут путем диффузии распространяться к холодному концу, где их в свободном состоянии было меньше. Вследствие ухода электронов горячий конец зарядится положительно, а холодный - отрицательно.  [40]

Для изучения поверхностей полупроводников типа А111 В предложен метод вторичной ионно-ионной эмиссии. Масс-спектр вторичных ионов арсенида галлия содержит две группы частиц: выбиваемых из адсорбированного слоя и выбиваемых из решетки. Обсуждается природа происхождения этих частиц.  [41]

База выполнена из полупроводника типа р, поэтому электроны для нее - неосновные носители заряда. Все электроны, вышедшие с эмиттера и образующие ток эмиттера I, достигают базы, причем незначительная часть электронов там рекомбиниру-ет.  [42]

Некоторые зонные структуры полупроводников типа алмаза и цинковой обманки приведены на рисунках 2.13 - 2.15. Их расчеты учитывают эффект спин-орбитального взаимодействия, который будет обсуждаться в § 2.6. Вследствие этого взаимодействия неприводимые представления электронных волновых функций должны включать эффект операций симметрии на спиновые волновые функции.  [43]

Ближайшими электронными аналогами наиболее исследованных бинарных полупроводников типа А3В5 являются тройные соединения типа А2В4С52, которые и были объектом настоящего исследования. Следует отметить, что между соединениями А3В5 и А2В4СГ 2 имеется и определенное различие, заключающееся в том, что тройные соединения кристаллизуются, в основном, в тетрагональной решетке типа халькопирита, тогда как бинарные - обладают кубической решеткой типа сфалерита. Другим обстоятельством, отличающим тройные соединения от бинарных, является усложнение состава, но можно предположить, что это обстоятельство играет менее существенную роль, как следует из сопоставления свойств элементарных ( А4) и бинарных тетраэдрическнх кристаллов.  [44]

Такой полупроводник называют полупроводником типа п, а вызывающие электронную проводимость местные уроз-яи-донаторными уровнями. Кристаллические тела, которкс являются полупроводниками по самой своей природе, даже при отсутствии в них примесей, как, например, кремний и германий, одновременно обладают как электронной, так и дырочной проводимостью.  [45]



Страницы:      1    2    3    4