Полупроводник - тип
Cтраница 4
Такое вещество называется полупроводником дырочного типа, или р-типа, так как носители тока имеют в этом случае положительный заряд. Обычно проще всего рассматривать это явление как возникновение в заполненной зоне положительных дырок, а проводимость-как движение этих дырок, поскольку электроны у верхнего края заполненной зоны имеют отрицательную эффективную массу или положительный заряд1), о чем уже упоминалось выше. [46]
Халькогениды ЭзХ3 являются полупроводниками типа АЗ В3 Они характеризуются большим числом полиморфных модификаций; из них наиболее стабильна гексагональная вюрцитоподобная, в которой треть узлов в подрешетке металла вакантна. Таким образом, эти соединения по своей генетической природе являются дефектными. [47]
Так, в полупроводнике типа п основными носителями заряда являются электроны, в полупроводнике типа р - дырки. [48]
 |
Образование электронно-дырочного перехода на границе полупроводников с разными типами проводимости. [49] |
Концентрация электронов в полупроводнике типа п выше, чем в полупроводнике типа р, и поэтому электроны диффундируют в область полупроводника типа р, заряжая пограничный слой этой области отрицательно. Аналогичное явление происходит и с дырками, которые, диффундируя в область с проводимостью типа п, образуют в пограничных слоях пластинки дополнительные заряды с той же самой полярностью. Таким образом, с обеих сторон границы раздела слоев германия в области электронно-дырочного перехода образуются противоположные по знаку пространственные заряды. [50]
Поверхностные уровни на полупроводниках типа Ge образуются свободно торчащими s - орбитами, которые энергетически выгоднее р-о. Возможно, что данные Фролова и Раджабли [377], не нашедших различия в каталитической активности п - и p - Ge, дробленного в вакууме, по отношению к дегидрированию изо - С5Н7ОН, объясняются влиянием очень большого числа поверхностных состояний, образовавшихся при дроблении. [51]
Полупроводниковый термоэлемент состоит из полупроводника типа п и полупроводника типа р, соединенных металлической пластиной. [52]
При подаче на зажимы полупроводников типа пир прямого напряжения Unp создается прямое электрическое поле Ещ ( рис. 22, г), направленное навстречу электрическому полю потенциального барьера Еа. Появится ток основных носителей, который называют прямым / пр. Увеличение тока / пр с повышением прямого напряжения идет сначала медленно. [53]
Полупроводниковый термоэлемент состоит из полупроводника типа п и полупроводника типа р, соединенных металлической пластиной. Эта пластина нагревается, а к двум другим свободным концам полупроводников присоединяется нагрузка. Термоэлектрические свойства полупроводников используются для получения термосопротивлений ( убывающих по мере нагревания током), термисторов ( высокочувствительных термометров сопротивления) и термоэлементов. [54]
При подаче на зажимы полупроводников типа пир прямого напряжения Unp создается прямое электрическое поле Ещ ( рис. 22, г), направленное навстречу электрическому полю потенциального барьера Еа. Появится ток основных носителей, который называют прямым / пр. Увеличение тока / пр с повышением прямого напряжения идет сначала медленно. [55]
Итак, соединение двух полупроводников противоположных типов вызвало в - каждом из них перемещение свободных электронов, не изменив при этом общего заряда, который остается равным нулю. В самом деле, как в полупроводнике п, так и в полупроводнике р положительные заряды имеют такую же величину, как и отрицательные. [56]
Форма подобной закономерности для полупроводников типа AnBv и всех других, им изоэлектронных, в настоящее время не установлена. [57]
К сожалению, для полупроводников типа РЬХ и Y2X3 ( X S, Se, Те; Y Bi, Sb) количество исходных данных, имеющихся в литературе, явно мало, да и они противоречивы, не обладают достаточно высокой точностью. Энтропия полупроводников PbS PbSe, PbTe при 298 15 К, по данным [21], равна соответственно 21 8 0 6, 24 2 1 5, 26 1 1 0 кал / моль град; эти цифры неплохо согласуются между собой, но найдены с довольно низкой точностью. [58]
Таким образом, плавление полупроводников типа AUIBV, подобно германию и кремнию, сопровождается разрушением пространственной системы жестких гомеополярных связей и соответственно нарушением ближнего порядка с образованием химической связи металлического характера и структуры с более плотной упаковкой. [59]
В результате этого в положительном полупроводнике типа р значительно увеличится количество положительных зарядов, а в отрицательном типе п увеличатся отрицательные заряды. Разноименные заряды устремятся навстречу один другому к запирающему слою, который потеряет свои обычные свойства и в цепи появится электрический ток. Из рассмотренных примеров видно, что устройство, состоящее из двух полупроводников разного типа, обладает достаточной проводимостью в одном направлении электрического тока, и наоборот, очень малой проводимостью ( большим сопротивлением) - в обратном. Иначе говоря, такое устройство может пропускать ток только в одном направлении. Это свойство и используется в устройствах полупроводниковых выпрямителей. [60]
Страницы: 1 2 3 4