Примесный полупроводник

Cтраница 1

Примесные полупроводники обладают более высокой электрн ческой проводимостью, чем полупроводники с собственной проводимостью, если концентрация атомов донорной Лгд или акцепторной NZ примеси превышает концентрацию собственных носителей заряда. [1]

Примесные полупроводники получают в результате внедрения в собственный полупроводник атомов примеси с валентностью большей или меньшей, чем у атомов собственного полупроводника. При наличии в полупроводниках примесей в них наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость. [2]

Примесный полупроводник называется электронным или полупроводником я-типа, если атомы примесей слабее удерживают свои электроны. Ясно, что в таком полупроводнике обычно наблюдается электронная проводимость. Подвижные дырки в нем почти не образуются. Положительно заряжаются примеси, которые длительно остаются ионизированными, будучи не в силах отобрать недостающие электроны у основных атомов. Дырочная проводимость в полупроводниках - типа или электронная проводимость в полупроводниках р-типа заметны обычно лишь в тех случаях, когда в полупроводники соответствующие подвижные заряды вносятся какими-либо посторонними источниками. [3]

Примесные полупроводники применяются для изготовления полупроводниковых приборов. [4]

Примесные полупроводники бывают двух типов. D от примесного уровня до дна зоны проводимости невелико, то при повышении температуры электроны переходят с примесных уровней в зону проводимости, следствием чего является ненулевая проводимость при Т 0, осуществляемая электронами зоны проводимости. Примеси, которым соответствуют уровни описанного типа, носят название доноров. Донорами являются, например, примеси фосфора или мышьяка в германии. [5]

Примесные полупроводники, электропроводность которых определяется примесями, обладают резко выраженной электронной или дырочной электропроводностя-ми. Эффект повышения электрической проводимости объясняется присутствием в кристалле полупроводника атомов элементов иной валентности. Примеси с валентностью, большей четырех, дающие избыток свободных электронов, называются донорными; примеси с валентностью, меньшей четырех, увеличивающие количество дырок, называются акцепторными. Схема кристалла кремния, в котором один атом основного вещества замещен атомом пятивалентного мышьяка, приведена на рис. 3.2, а. Мышьяк образует четыре ковалентные связи с соседними атомами кремния, а его пятый валентный электрон оказывается лишним. При низких температурах ( О К) этот электрон еще удерживается около ядра мышьяка, но уже при небольшом повышении температуры сила связи ослабляется, электрон отрывается и становится носителем отрицательного заряда, а атом1 мышьяка превращается в положительный неподвижный ион. В целом кристалл остается электрически нейтральным, так как положительные заряды ионов уравновешиваются отрицательными зарядами электронов проводимости. [6]

Примесный полупроводник - полупроводник электронной ( n - типа) или дырочной ( р-типа) проводимости. При одновременном введении в полупроводник и донорной и акцепторной примесей происходит компенсация их влияний и эффект на проводимость оказывает только избыток одного типа примеси над другим. [7]

Примесный полупроводник также называется легированным полупроводником. В зависимости от примеси полупроводник может быть / г-типа и / ьтипа. Буква п обозначает электронную проводимость, а р - дырочную. [8]

Примесные полупроводники бывают двух типов. D от примесного уровнядо дна зоны проводимости невелико, то при повышении температуры электроны переходят с примесных уровней в зону проводимости, следствием чего является ненулевая проводимость при Т 0, осуществляемая электронами зоны проводимости. Примеси, которым соответствуют уровни описанного типа, носят название доноров. Донорами являются, например, примеси фосфора или мышьяка в германии. [9]

Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [10]

Примесный полупроводник, у которого электропроводность при росте Т сначала уменьшается, а потом растет, называется полуметаллом. [11]

Примесными полупроводниками называются такие, которые превращаются в полупроводники при наличии в них определенных примесей. [12]

Примесными полупроводниками называются такие кристаллические тела, которые становятся полупроводниками при наличии в них примесей, нарушающих обычное кристаллическое строение. [13]

Рассмотрим примесный полупроводник, содержащий, например, донорные примеси. Концентрацию примесей будем считать малой по сравнению с критической концентрацией 7VC, при которой происходит моттовский переход металл - диэлектрик ( см. гл. При этих условиях перекрытие электронных оболочек соседних примесных атомов мало. Поэтому каждый донор можно рассматривать как изолированный водородоподобный атом, внешний электрон которого находится на расстоянии порядка а Б от ядра и имеет энергию связи порядка Е Б ( гл. Допустим, что температура столь низка, что тепловой энергии колеблющихся атомов недостаточно, чтобы отрывать электроны от доноров. Как же осуществляется при этом электропроводность. [14]

Такие примесные полупроводники называются электронными или полупроводниками п-типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4