Примесный полупроводник
Cтраница 3
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости In 7 от 1 / Г для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок 6С соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [31]
Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей - по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. [32]
У примесных полупроводников зависимость концентрации носителей тока от температуры имеет более сложное выражение. [33]
 |
Зависимость удельной проводимости полупроводника от температуры. [34] |
Для примесных полупроводников зависимость а ( Т) получается сложнее. [35]
Для примесных полупроводников и-типа концентрация / 7-носителей очень мала, а у полупроводников - типа очень мала концентрация электронов в зоне проводимости. [36]
Для примесного полупроводника я-типа рассуждения аналогичны, разница лишь в знаке заряда. [37]
В примесных полупроводниках наряду с примесной электропроводностью существует и собственная, обусловленная наличием неосновных носителей. Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей, поэтому для полупроводников n - типа справедливо соотношение ппрп nipi п - р ], а для полупроводников р-типа - соотношение пррр и: pf, где пп рп - концентрация основных, a np Pj, - концентрация неосновных носителей заряда соответственно в полупроводнике п и р-типа. [38]
 |
Электронная ( а и дырочная ( б электропроводности полупроводников. [39] |
В примесных полупроводниках с электронной электропроводностью происходит переход электронов с локальных уровней энергии в зону проводимости. Кроме того, возможен переход электронов из валентной зоны в зону проводимости, как это бывает у полупроводников с собственной электропроводностью. [40]
В примесном полупроводнике с дырочной электропроводностью основными носителями зарядов являются дырки, образующиеся при переходе валентных электронов из атомов основного вещества в атомы акцепторной примеси, а неосновными носителями зарядов - электроны, переходящие из валентной зоны в зону проводимости в процессе термогенерации. [41]
В примесных полупроводниках число основных носителей тока очень велико и всегда значительно превышает 1015 см-3. Радиация в заметной степени может оказывать влияние лишь на гораздо меньшее число второстепенных носителей тока; их стационарная концентрация достигает в некоторых случаях величины на несколько порядков больше предыдущей. Образующиеся таким образом второстепенные носители тока могут обусловливать качественные изменения каталитической активности. [42]
В примесном полупроводнике всегда содержатся основные и неосновные носители. Установим связь между концентрациями этих носителей. [43]
В примесных полупроводниках появление свободных носителей при низких температурах связано в основном не с переходом электронов в зону проводимости из валентной зоны, а с ионизацией локализованных электронных состояний, энергии которых лежат в запрещенной зоне. [44]
В примесных полупроводниках, у которых о ор или Р стл, параметры биполярной диффузии Оэ и хэ практически совпадают с соответствующими параметрами для неосновных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4