Примесный полупроводник
Cтраница 4
 |
К определению контактной разности потенциалов. [46] |
В примесных полупроводниках с малой глубиной залегания донорных уровней эта энергия может быть очень малой, а энергия для преодоления потенциального барьера, называемая в этом случае внешней работой выхода или сродством к электрону, оказывается в ряде случаев много меньшей работы выхода чистых проводников. [47]
В примесных полупроводниках с небольшим содержанием примесей вероятность поглощения фотонов электронами примесных атомов мала. Поэтому изменение проводимости под действием света также в основном связано с перебросом электронов из валентной зоны в зону проводимости и образованием пар разноименных носителей заряда - электронов проводимости и дырок. Однако характер проводимости для электронных ( n - типа) и дырочных ( р-типа) примесных полупроводников различен. [48]
В примесных полупроводниках при энергиях фотонов g ftv Ag наблюдается поглощение излучения свободными носителями тока. [49]
 |
Зонная диаграмма и схема.| Зависимость удельного сопротивления полупроводника от концентрации примеси. [50] |
В примесном полупроводнике наряду с появлением носителей заряда за счет введения атомов примесей в кристалл всегда действует механизм образования пар носителей заряда в результате температурной генерации. В примесном полупроводнике всегда имеются носители заряда обоих типов. Однако концентрация их оказывается различной: в полупроводнике n - типа для заданной температуры концентрация электронов выше концентрации дырок, в дырочном полупроводнике - наоборот. Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает, называются основными. [51]
 |
Электронные переходы в полупроводниках в случае собственной ( а и примесной ( б, в проводимостей. [52] |
В примесных полупроводниках основное повышение электропроводности достигается при переходе электроно. [53]
В примесных полупроводниках носители заряда рассеиваются не только на фононах, но и на ионизованных атомах примесей. Например, в донорном полупроводнике свободные электроны, движущиеся вблизи иона примеси, заряженного положительно, изменяют свою траекторию так, как показано на рис. 7.21. Ясно, что чем выше скорость электрона, тем меньше его отклонение. [54]
В примесных полупроводниках наблюдается эффект поля, заключающийся в изменении характера проводимости в приповерхностном слое под действием электрического поля. Например, если собрать трехслойную структуру: металл М, изолятор И и полупроводник П и через изолятор / / воздействовать на поверхность полупроводника П, имеющего в одинаковой степени п-и р-проводимость, электрическим полем от батареи Еа в указанной на рис. 6, а полярности, то образуется обогащенный дырками приповерхностный р-слой с повышенной р-проводимостью. Изменив полярность ( рис. 6, б), получим приповерхностный слой с преобладающей п-проводимостью. [55]
Страницы: 1 2 3 4