Примесный полупроводник
Cтраница 2
Такие примесные полупроводники называются избыточными электронными полупроводниками, а их избыточная электронная проводимость называется электронной или типа п ( negative - отрицательный), например четырехвалентный германий с примесью пятивалентного мышьяка. [16]
Рассмотрим примесный полупроводник, содержащий донорные и акцепторные примеси. В большинстве полупроводников при комнатной температуре атомы примесей ионизованы и их положительный заряд доноров и отрицательный - акцепторов уравновешены свободными электронами и дырками. [17]
Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью. [18]
Различают собственные и примесные полупроводники. К числу собственных относятся химически чистые полупроводники. Электрические свойства примесных полупроводников определяются имеющимися в них искусственно вводимыми примесями. [19]
Рассмотрим примесный полупроводник электронного типа с энергией диссоциации доноров ед 0Г, когда они практически все ионизованы. Если полупроводник приведен в контакт с металлом, то в результате перераспределения свободных электронов полупроводника в приконтактном слое потенциал 2) его поверхности станет равным потенциалу поверхности металла. Так как полупроводник и металл свободно обмениваются электронами и находятся в состоянии статистического равновесия, то уровни химического потенциала в них совпадают. [20]
Рассмотрим однородный изотропный примесный полупроводник в виде прямоугольного параллелепипеда с электродами на его торцах. [21]
 |
Образование вакантных уровней в валентной зоне полупроводника. [22] |
Различают собственные и примесные полупроводники. К числу собственных относятся химически чистые полупроводники. Электрические свойства примесных полупроводников определяются имеющимися в них искусственно вводимыми примесями. [23]
У примесных полупроводников энергия активации проводимое гн W - 0 01 - - - f - 0 1 эВ и А К - 10: - г 10 м, что соответствует инфракрасной области спектра. [24]
Для примесных полупроводников возможны два случая. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 1010 г - 1, то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны; для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. [25]
Для примесного полупроводника n - типа рассуждения аналогичны, разница лишь в знаке заряда. [26]
Для примесных полупроводников, когда концентрация основных носителей заряда значительно превышает концентрацию неосновных носителей ( 0Ро или р0 о), коэффициент биполярной диффузии D и биполярная дрейфовая подвижность НЕ равны, соответственно, коэффициенту диффузии и подвижности неосновных носителей заряда. [27]
У примесных полупроводников энергия активации проводимости A W-001 ч - 0 1 эВ и Акр-10 5 - 10 - 4 м, что соответствует инфракрасной области спектра. [28]
Для примесного полупроводника длина L соответствует диффузионной длине неосновных носителей заряда. [29]
Для примесных полупроводников возможны два случая. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Действительно, если учесть, что произведение числа электронов проводимости на число дырок постоянно при данной температуре ( пр jV2), то изменение числа второстепенных носителей тока приведет к одновременному изменению числа главных носителей тока. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 1010 г - 1, то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны; для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. [30]
Страницы: 1 2 3 4