Электронный полупроводник

Cтраница 1

Электронные полупроводники сходны с твердыми электролитами в том отношении, что носители тока в обоих случаях ( электроны у первых и ионы у вторых) освобождаются флук-туациямп теплового движения. Поэтому как концентрация свободных зарядов, так и электропроводность у полупроводников и у электролитов стремятся к нулю с приближением к абсолютному нулю температуры. Освобожденные тепловым движением электроны, как и ионы, диффундируя некоторое время внутри тела, вновь закрепляются путем рекомбинации при прилипании на одном из дефектов кристаллической ре-гаетки. Впрочем, в этом отношении существует некоторая разница: ионы обычно рекомбинируют, возвращаясь в свободные узлы кристаллической решетки, а электроны рекомбинируют чаще всего на примесях или дефектах кристалла. Как скопления ионов одного знака, так и скопления электронов создают в теле объемные заряды. Однако электронные проводники совершенно отличаются от ионных проводников механизмом, определяющим подвижность носителей тока. В то время как ионы должны преодолевать препятствия при переходе из одной элементарной ячейки кристалла в другую, электроны свободно проходят сквозь междуатомные энергетические барьеры. [2]

Электронный полупроводник. модель кристаллической решетки ( а. энергетическая диаграмма ( б. [3]

Электронным полупроводником ( или полупроводником / г-типа) называется такой полупроводник, в котором концентрация свободных электронов преобладает над концентрацией дырок. [4]

Образование электронно-дырочного перехода. [5]

Поскольку электронный полупроводник имеет концентрацию электронов много большую, чем дырочный, то при наличии контакта двух таких полупроводников будет происходить диффузионное перемещение электронов в дырочный полупроводник. [6]

Схема энергетических зон полупроводника. J. i-наибольшее значение энергии в валентной зоне. ES - наименьшее значение анергии в зоне проводимости. Д. ES - Ei - ширина запрещенной зоны. Яд - энергетический уровень расположения доноров. [7]

Все электронные полупроводники являются кристаллическими веществами с различными кристаллическими решетками и электронным видом электропроводности. В узлах решетки в правильном геометрическом порядке расположены атомы элементов. [8]

В однородный полубесконечный электронный полупроводник ( х & 0) на поверхности х - 0 стационарно инжектируются дырки. [9]

Если электронный полупроводник электронно-дырочного перехода подвергнуть воздействию света, то в нем будут генерироваться электронно-дырочные пары, причем основная часть электронов будет оставаться в электронном полупроводнике и лишь ничтожная доля их сможет преодолеть потенциальный барьер, образованный контактной разностью потенциалов, и перейти в дырочный полупроводник. [10]

Схематическое изображение электропроводности у электронного ( а и дырочного ( б полупроводников. [11]

У электронного полупроводника электроны называют основными носителями тока, а дырки - неосновными. [12]

Для электронного полупроводника ( рис. 73, а) концентрация электронов в слое 8 меньше, чем в объеме; этот слой обладает пониженной электропроводностью, вследствие чего называется запорным. Для дырочного полупроводника ( рис. 73, б) слой 8 имеет повышенное число дырок и является антизапорным, так как его проводимость больше, чем проводимость в объеме полупроводника. [13]

Изучение электронных полупроводников обещает внести некоторую ясность в этом вопросе. [14]

Для электронных полупроводников средняя длина свободного пробега лежит в пределах от 10 - 9 до 10 - 4 см. Сравним эти значения с величиной межатомных расстояний а - ( 3 - 5) Ю-8 см и длиной волны свободных электронов и дырок, двигающихся с тепловой скоростью при комнатной температуре, X - 7 - 10 - 7 см. Оказывается, что для всех полупроводников с подвижностью Р 100 см2 - в 1-сек. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5