Электронный полупроводник

Cтраница 3

В электронном полупроводнике ( типа п) основные носители - электроны, неосновные - дырки, в дырочном ( типа р) - наоборот, основными носителями являются дырки, неосновными - электроны; как было отмечено, основных носителей в полупроводнике при нормальной температуре примерно в миллион раз больше, чем неосновных. [31]

В электронных полупроводниках и электролитах носители тока освобождаются за счет тепловой энергии; поэтому их электропроводность стремится к нулю по мере приближения к абсолютному нулю температур. [32]

В электронных полупроводниках основная часть тока переносится электронами, так как они являются основными носителями ( как и в большинстве металлов), в дырочных же полупроводниках основная часть тока переносится положительными зарядами - дырками. Заряд дырки равен заряду электрона. [33]

В электронном полупроводнике, отрицательное сопротивление которого обусловлено механизмом Ридли-Уоткинса - Хилсума, области положительного заряда отвечает обеднение электронами, а области отрицательного заряда - обогащение. По мере развития неустойчивости положительный заряд должен увеличиваться, но поскольку плотность его ограничена величиной eNo ( е - значение заряда электрона, а ND - концентрация доноров), он нарастает за счет увеличения длины обедненного слоя. [34]

В электронном полупроводнике, кроме основных носителей - свободных электронов, появляются дырки. Конечно, следует иметь в виду, что в каждом полупроводнике основных носителей значительно больше, чем неосновных. Неосновные носители проникают в полупроводник на глубину примерно 10 - 4 см от границы и располагаются вдоль границы. Так создается п-р переход. Следовательно, вдоль п-р перехода в дырочном полупроводнике располагаются свободные электроны, а в электронном полупроводнике - дырки. [35]

В электронных полупроводниках приповерхностное электрич. [36]

Положение простых полупроводниковых веществ в таблице Менделеева. [37]

В электронных полупроводниках ток переносится электронами, вследствие чего переноса вещества при прохождении тока не происходит, и приборы, изготовленные из электронных полупроводников, могут работать длительное время. [38]

Положения простых полупроводниковых веществ в таблице Менделеева. [39]

В электронных полупроводниках ток переносится электронами, вследствие чего переноса вещества при прохождении тока не происходит, и приборы, изготовленные из этого материала, могут работать длительное время. [40]

В электронном полупроводнике и /; или п р и вклад электронов в проводимость оказывается решающим. В дырочном полупроводнике р п или р п и вклады электронов и дырок сначала равны, затем вклад дырок оказывается большим. [41]

Изменение ширины запрещенной зоны. а - германия и Ь - кремния с температурой. [42]

В электронном полупроводнике п р или п р и вклад электронов в проводимость оказывается решающим. В дырочном полупроводнике р п и вклады электронов и дырок примерно равны, или р п, тогда вклад дырок оказывается большим. [43]

Вероятность заполнения уровней электронами в примесных полупроводниках. а в электронном полупроводнике. б в дырочном полупроводнике. [44]

В электронных полупроводниках большое количество электронов переходит в зону проводимости с донорных уровней. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5