Электронный полупроводник

Cтраница 4

В электронном полупроводнике с высоким содержанием примесей при их концентрации порядка 1019 CM-S ( на границе вырождения) уровень Ферми будет лежать очень близко ко дну зоны проводимости. [46]

Входная ( а и выходная ( б характеристики транзистора в схеме с ОБ / аз / э2 / Э1 0. [47]

В электронном полупроводнике тР с ростом температуры увеличивается вследствие того, что фононы все больше деионизируют ловушки, срывая с них электроны. Уменьшение концентрации электронов на ловушках приводит к уменьшению вероятности рекомбинации дырок и тР растет. [48]

В электронных полупроводниках и электролитах носители тока освобождаются за счет тепловой энергии; поэтому их электропроводность стремится к нулю по мере приближения к абсолютному нулю температур. [49]

Пусть имеется электронный полупроводник, у которого л0 РО, n /, pi, тогда из ( 1 - 606) получается т0 я тро. В случае дырочного полупроводника получается т я тло. [50]

От электролитов электронные полупроводники отличаются иной физической природой носителей тока. От металлов они отличаются не только меньшей величиной электропроводности ( меньшей чем 104ом - 1см - 1), но и иной ее зависимостью от температуры: в то время как электропроводность металлов с понижением температуры растет, а с приближением к абсолютному нулю достигает весьма больших значений или даже переходит в сверхпроводимость, полупроводники с понижением температуры обычно уменьшают свою проводимость, а вблизи нуля становятся изоляторами. [51]

От электролитов электронные полупроводники отличаются иной физической природой носителей тлка. От металлов они отличаются не только меньшей величиной электропроводности ( меньшей чем 104 ом - 1-см - 1), но и иной ее зависимостью от температуры: в то время как электропроводность металлов с понижением температуры растет, а с приближением к абсолютному нулю достигает весьма больших значений или даже переходит в сверхпроводимость, полупроводники с понижением температуры обычно уменьшают свою проводимость, а вблизи абсолютного нуля становятся изоляторами. [52]

Пусть имеется электронный полупроводник, в котором, как известно, наличие свободных электронов обусловлено двумя факторами: ионизацией донорных атомов и ионизацией атомов основного материала ( см. стр. [53]

Омический контакт при наличии промежуточного слоя полупроводника малого сопротивления.| Энергетическая диаграмма контакта электронных полупроводников разного сопротивления. [54]

Если для электронного полупроводника взять металл, работа выхода у которого меньше, то электроны будут входить в полупроводник и снижать сопротивление в прикон-тактной области. [55]

Для образования электронного полупроводника, граничащего с селеном, на поверхность селена последовательно наносят тонкий слой серы, а затем с помощью специальных распылителей - катодный сплав, содержащий кадмий. После нанесения катодного сплава вентиль уже приобретает выпрямляющие свойства. Однако коэффициент выпрямления еще мал, так как выпрямляющий эффект обусловлен только разностью контактных потенциалов селена и катодного сплава, электронный полупроводник - сульфид кадмия - еще не образован. [56]

Облучение нейтронами твердых электронных полупроводников и катализаторов и некоторых адсорбентов иногда настолько благоприятно влияет на их свойства, что представляет практический интерес. [57]

С помощью твердых электронных полупроводников в настоящее время удается получить кпд лишь немногим выше 8 / 0 при условии длительного их употребления. Судя по ходу развития вопроса, этот предел в ближайшее время может повыситься до 10 - 12 / 0, а может быть, и до 15 / 0 при источниках тепла порядка 700 - 800 С. [58]

В случае электронного полупроводника понятия свободный или связанный электрон приобретают иной смысл, чем аналогичные представления о свободных и связанных ионах. Ион связан химическими или электростатическими силами окружающей среды, когда он находится в положении минимума потенциальной энергии; для выхода из этого положения он должен затратить работу. Если же внешнее электрическое поле может в зависимости от своего направления ускорять или замедлять движение иона - он свободен. [59]

В случае электронного полупроводника понятия свободный пли связанный электрон приобретают иной смысл, чем соответственные представления о свободных и связанных нонах. Если же энергия иона не изменяется при его перемещении или глубина энергетического минимума настолько мала, что тепловое движение легко переводит ион из одного минимума в другой, тогда и внешнее электрическое поле в зависимости от своего направления может ускорять или замедлять движение иона - такой нон свободен. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5