Электронный полупроводник

Cтраница 2

Для электронного полупроводника ( n - типа) справедливо соотношение ппр - пм, где пп и рп - концентрации электронов и дырок. [16]

Теория электронных полупроводников, Изд-зо иностр. [17]

У электронного полупроводника электроны называют основными носителями xoj я дырки - неосновными. [18]

Теория электронных полупроводников, Изд-во иностр. [19]

Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда. В результате оказывается, что количество свободных электронов практически равно количеству ионизированных доноров. [20]

Изучение электронных полупроводников обещает внести некоторую ясность в этом вопросе. [21]

Для электронных полупроводников средняя длина свободного пробега лежит в пределах от 10 - 9 до 10 - 4 см. Сравним эти значения с величиной межатомных расстояний а - ( 3 - 5) - 10 - 8 см и длиной волны свободных электронов и дырок, двигающихся с тепловой скоростью при комнатной температуре, У. Оказывается, что для всех полупроводников с подвижностью 100 см2 - в 1 -сек. [22]

Ферми примесного электронного полупроводника лежит примерно посередине между уровнем примеси и нижней границей полосы проводимости. [23]

К электронным полупроводникам относятся: германий, кремний, селен, теллур и др., а также большое число оксидов, сульфидов и карбидов. [24]

В электронном полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. [25]

В электронном полупроводнике основными носителями заряда, как известно, являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. В результате этого на холодном конце будет накапливаться отрицательный заряд, на горячем оставаться нескомпенсированный положительный. [26]

В электронных полупроводниках - уровень Ферми смещается к краю зоны проводимости. [27]

Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта о полупроводнике n - типа. б - до контакта в полупроводнике р-тшта. в - после контакта. [28]

В электронном полупроводнике с высоким содержанием примесей при их концентрации порядка 1019 см-3 уровень Ферми располагается очень близко ко дну зоны проводимости. [29]

Расположение энергетических зон и уровня Ферми ( штрих-пунктир для электронного и дырочного полупроводников. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5