Элементарный полупроводник

Cтраница 1

Элементарные полупроводники получают либо рафинированием простых веществ, либо путем глубокой очистки соединений, из которых затем выделяют полупроводники. Часто сочетают оба метода. Бинарные соединения иногда получают последовательной очисткой этих же соединений обычной чистоты, но чаще их синтезируют из простых веществ высшей чистоты. [1]

Другим элементарным полупроводником, в котором интенсивно изучались поверхностные подзоны, является теллур. Кристаллы Те обладают характерной цепочечной структурой с большой анизотропией и отсутствием центра инверсии. Установлено, что максимумы валентной зоны и минимумы зоны проводимости находятся вблизи угла ( называемого точкой Н) гексагональной зоны Бриллюэна. Чистые кристаллы Те представляют вырожденный полупроводник р-типа с концентрацией дырок, редко имеющей величину, меньшую 1014 см-3. Синтезировать вещество л-типа не удается. [2]

Кристаллизация элементарного полупроводника из его расплава, где он играет роль растворителя, а примесь - роль растворенного элемента. [3]

Для элементарных полупроводников и многих полупроводниковых соединений характерна высокая степень симметрии. [4]

Большинство элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений образуют кристаллические решетки с ковалент-ной связью. [5]

Структура элементарных полупроводников подчиняется так называемому правилу октета, согласно которому каждый атом имеет ( 8 - №) ближащих соседей, где № - номер группы периодической системы, в которой находится данный химический элемент. [6]

Форма и расположение изоэнергетических поверхностей в Ge, Si и GaAs. [7]

К элементарным полупроводникам относятся вещества, расположенные в IV - VII подгруппах таблицы Менделеева - углерод ( алмаз), кремний, германий, олово. Валентные оболочки свободных атомов этих элементов состоят из ( ns) 2 ( np) 2 электронов. [8]

В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шоттки могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но и функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию доноров или акцепторов. [9]

В элементарных полупроводниках, состоящих в основном из атомов одного химического элемента, примесями являются чужеродные атомы. В полупроводниковых соединениях и твердых растворах, состоящих из атомов двух или большего числа химических элементов, примесями могут быть не только включения атомов посторонних химических элементов, но и избыточные по отношению к стехиометрическому составу атомы химических элементов, входящих в химическую формулу сложного полупроводника. [10]

В элементарных полупроводниках типа Qe может проявляться оптическое поглощение, разное по своей природе. [11]

При легировании элементарных полупроводников и соединений некоторые элементы создают по нескольку уровней с различной энергией активации, в результате чего атомы таких элементов при одних температурах играют роль доноров, а при других - акцепторов. Кроме того, при сильном простом легировании ( атомами одного сорта) между атомами полупроводника-растворителя и атомами примеси образуются ассоциаты и комплексы типа кластеров. При сложном легировании нужно учитывать химическое взаимодействие между примесными атомами. Например, при двойном легировании германия и кремния элементами III и Vrpynn ( акцепторы и доноры) образуются соединения типа АШВУ. [12]

Общее число элементарных полупроводников невелико; их электрофизические свойства не настолько разнообразны, чтобы удовлетворить требования современной полупроводниковой техники. Число же полупроводниковых соединений практически неограничено и, следовательно, всегда найдутся вещества с нужными. [13]

Для использования элементарных полупроводников в полупроводниковой технике, а также для получения полупроводниковых соединений из очень чистых компонентов необходимы материалы с очень высокой степенью чистоты. Степень чистоты полупроводникового материала определяется в зависимости от того, для какой цели он предназначен. Способы очистки материала разнообразны. Ниже кратко рассмотрены наиболее часто применяемые способы очистки. [14]

Применительно к элементарным полупроводникам метод жидкофазной эпитаксии не нашел широкого применения из-за отсутствия легкоплавких металлов-растворителей, способных растворять полупроводники в больших концентрациях и не загрязнять их эпитаксиальные слои. Единственные нейтральные в германии и кремнии металлы - олово и свинец - растворяют полупроводники в концентрациях менее 1 % ( ат. В этом отношении соединения A1IIBV и твердые растворы на их основе являются наиболее благоприятными объектами жидкофазной эпитаксии. [15]

Страницы: 1 2 3 4