Элементарный полупроводник

Cтраница 3

В технике основное значение имеют элементарные полупроводники, прежде всего, германий и кремний. Широко используются в настоящее время и двойные соединения ( сложные полупроводники), а также селен и карбид кремния. Тройные и более сложные соединения находятся в стадии изучения. [31]

Для изготовления полупроводниковых приборов используют следующие элементарные полупроводники: германий, кремний, бор, углерод, селен, теллур, форсфор и др. Из них наибольшее распространение получили германий и кремний. [32]

Правило октета позволяет определить размещение элементарных полупроводников и компонентов полупроводниковых соединений в Периодической системе. В самом деле, насыщенные ковалент-ные связи могут существовать в кристаллах Si, Ge, a - Sn, P, As, Sb, S, Se, Те, 12, которые расположены компактной группой на границе между типичными металлами и неметаллами. В химическом отношении, следовательно, элементарные полупроводники, как правило, обладают амфотерными свойствами. Наиболее ярко выражены полупроводниковые свойства у элементов IV группы, кристаллизующихся в структуре алмаза с тетраэдрической ориентацией атомов. Сумма номеров групп, в которых находятся компоненты этих соединений, равна восьми, что соответствует общему количеству валентных электронов на формальную единицу. [33]

Типичные режимы роста эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников ( IV), полученных водородным восстановлением их хлоридов на подложках, ориентированных по ( 111), ( ПО) и ( 100), приведены ниже. [34]

Установки для получения эпитаксиальных структур элементарных полупроводников из газовой фазы состоят из реактора и систем нагрева и газораспределения, управляемых микропроцессорами. Реакторы с вертикальным расположением корпуса подразделяются по конструкции подложкодержателя на реакторы с плоским ( рис. 6.14, б) или цилиндрическим ( рис. 6.14, в) подложкодержателями. Для повышения однородности распределения газовых потоков по площади подложек подложкодерж: атели вертикальных реакторов вращают. [35]

Для производства полупроводниковых приборов широко применяются элементарные полупроводники, которые обладают поликристаллической или монокристаллической структурой, из которых наибольшее применение нашли германий и кремний. Из легированных монокристаллов германия или кремния вырезают пластины, которые являются основой для изготовления приборов и интегральных микросхем. [36]

Этот метод, разработанный автором для элементарных полупроводников, впоследствии был использован и при исследовании органических полупроводниковых соединений. [37]

Технология полупроводниковых соединений отличается от технологии элементарных полупроводников наличием операции синтеза. Эта операция заключается в создании самого соединения в результате различного рода химических реакций. [38]

Наложение зон для металлических кристаллов.| Ширина запрета для.| Основные свойства элементарных полупроводников. [39]

В табл. 13.13 приведены основные свойства элементарных полупроводников. [40]

Наложение зон для металлических кристаллов. [41]

В табл. 126 приведены основные свойства элементарных полупроводников. [42]

Поверхностные и структурные дефекты эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников. [43]

Большинство этих элементов, получивших название элементарных полупроводников, находит применение в термоэлектрических устройствах и полупроводниковых приборах в виде компонентов сложных химических соединений. [44]

Для интенсивной адсорбции О2 на поверхности элементарного полупроводника необходимо присутствие некоторого количества водорода ( например, в виде водяного пара), что может свидетельствовать о роли водородных комплексов в этом процессе. Если кислород адсорбируется на поверхности ( 111), предварительно покрытой атомарным водородом, то кинетика адсорбции О2 позволяет количественно выявить роль в адсорбции О2 предварительно адсорбированных атомов водорода. Предполагается [1], что предварительно адсорбированный водород скрывается под поверхностью ( 111) германия, а не удерживается на его поверхности ковалент-ной связью. Сопоставление этих результатов с данными по влиянию водорода на электропроводность и знак носителей заряда в пленках Ge указывают на существование на поверхности германия атомов водорода в виде г и s - атомов. [45]

Страницы: 1 2 3 4