Элементарный полупроводник

Cтраница 2

Наряду с элементарными полупроводниками в полупроводниковой технике находят широкое применение полупроводниковые соединения получаемые путем сплавления или химической обработки чистых элементов. Таковы закись меди ( Ci O), из которой изготовляют полупроводниковые выпрямители разнообразных типов, сурьмянистый цинк ( SbZn), используемый для изготовления полупроводниковых термобатарей, теллуристый свинец ( РЬТе), нашедший применение для изготовления фотоэлектрических приборов и для отрицательной ветви термоэлементов и многие другие. [16]

Наряду с элементарными полупроводниками в полупроводниковой технике находят широкое применение полупроводниковые соединения получаемые путем сплавления или химической обработки чистых элементов. Таковы закись меди ( СигО), из которой изготовляют полупроводниковые выпрямители разнообразных типов, сурьмянистый цинк ( SbZn), используемый для изготовления полупроводниковых термобатарей, теллуристый свинец ( РЬТе), нашедший применение для изготовления фотоэлектрических приборов и для отрицательной ветви термоэлементов и многие другие. [17]

Углерод попадает в элементарные полупроводники на различных стадиях технологического процеса их получения: из содержащих примесь углерода хлорида германия ( IV) и хлорсиланов в процессе водородного восстановления и, наконец, в процессах выращивания монокристаллов. Здесь углерод попадает в расплав элементарных полупроводников в результате взаимодействия его с углерод-содержащими газами, находящимися в печном пространстве. Они представляют собой различные углеводороды, образующиеся при термическом разложении смазки штоков, и оксиды углерода, образующиеся при взаимодействии нагретых графитовых деталей теплового узла с остаточным кислородом и влагой в печной атмосфере. [18]

Из всего многообразия элементарных полупроводников и соединений, обладающих полупроводниковыми свойствами, в промышленности применяются монокристаллические кремний и германий, выпускаемые многими сотнями тонн, а также арсенид и фосфид галлия. [19]

Режимы химико-механической полировки элементарных полупроводников абразивными суспензиями следующие: удельное давление полировального круга - 10 - 2 МПа, скорость его вращения - 100 об / мин, температура 300 С, расход суспензии 120 капель / мин; с использованием безабразивных суспензий ( табл. 10) удельное давление полировального круга - 10 - 2 МПа, скорость его вращения 60 - 100 об / мин, температура 20 2 С. [20]

Однослойные эпитаксиальные структуры элементарных полупроводников широко используют в качестве полуфабрикатов современной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Они различаются как уровнем легирования подложки и эпитаксиального слоя, так и типом проводимости. Диаметр структур доходит до 150 мм. Однослойные эпитаксиальные структуры элементарных полупроводников получают методами, основанными на водородном восстановлении их хлорсиланов или на пиролизе их гидридов. Хлоридную технологию используют для осаждения из газовой фазы толстых ( толщина до 100 мкм и более), а гидридную - тонких ( толщина менее 5 мкм) эпитаксиальных слоев. [21]

Рассмотрена зонная структура элементарных полупроводников семейства алмаза и изменения зонной структуры при переходе к бинарным соединениям. Обсуждается возникновение сферических особенностей структуры зон, связанных с увеличением числа разнородных атомов, при переходе к трехкомпонентиым гетраэдрнче-ским полупроводникам. [22]

Имея дело с элементарными полупроводниками, германием и кремнием, наиболее часто осуществляют два типа процессов. [23]

Гексагональная плотная упаковка ( г.п.у.. [24]

Алмазный тип решетки имеют важнейшие элементарные полупроводники кремний, германий, а также и а-олово. [25]

В отличие от, элементарных полупроводников выращивание полупроводниковых соединений осложняется нарушением стехиометрии и однородности в пленках. [26]

Селен - один из первых элементарных полупроводников, широко применяемых для изготовления селеновых выпрямителей, фотосопротивлений и других приборов и деталей полупроводниковой техники. Теллур тоже относится к элементарным полупроводникам, но применяется реже, чем селен. Многие селениды и теллуриды обладают полупроводниковыми свойствами. [27]

Кривые радиального распределения атомов в жидких GeSe и GeTe.| Кривые радиального распределения атомов в жидком GaSb. [28]

В ряде рентгенографических исследований элементарных полупроводников типа AIV и халькогенов, полупроводников типа АШВ, AmBVI, AIVBVI, системы - As-S, полупроводников типа SbjBj 1, типа АУВУЧ А ВУ1, АПВ1УСУ, стеклообразных полупроводников Полтавцев [175] имел цель классифицировать вещества по типу перехода из их кристаллического состояния в аморфное при испарении, в жидкое при плавлении и из расплава в стеклообразное состояние. [29]

Количество носителей тока в элементарных полупроводниках ( таких, как кремний или германий) обычно определяется концентрацией элементов-примесей III и V групп. Иногда другие электрически активные примеси дают непосредственно электроны или дырки. Полезная концентрация носителей тока может составлять 1 носитель на 109 атомов кристалла. Отсюда следует, что чистота исходного материала должна быть значительно выше и концентрация примесей, вводимых в материал для создания носителей тока, должна быть выше остаточных примесей. [30]

Страницы: 1 2 3 4