Элементарный полупроводник

Cтраница 4

До сих пор не было попыток использовать элементарные полупроводники в качестве термометров в области температур выше 20 К, что, возможно, связано с чрезвычайно высокой стабильностью платиновых термометров сопротивления в этой области. И тем не менее такие достоинства полупроводниковых термометров, как высокое сопротивление, высокая чувствительность и малые габариты, являются несомненным стимулом для проведения дальнейших их исследований в области температур выше 20 К, а также при температурах жидкого гелия и жид кого водорода. [46]

Перенос и кристаллизация ве - SiCL ( газ-носитель ВОДОРОД щества при помощи транспортирующего и Ловила бооа из ВС1 и Лос. [47]

Часто применяют окислительно-восстановительные реакции для получения как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. При восстановлении галогенидов бора и кремния водородом получаются поликристаллы элементарного бора и кремния. [48]

Начиная краткое описание некоторых полупроводниковых материалов с элементарных полупроводников, сделаем предварительно несколько замечаний. [49]

Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев кремния от парциального давления силана при 770 С. [50]

Легирование осажденных из газовой фазы эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников проводят контролируемым введением в нее паров или газов соединений III и V групп периодической системы элементов. Выбор легирующей примеси определяется рядом факторов. Во-первых, учитывают коэффициент диффузии примеси в твердом полупроводнике: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования - перехода примеси из сильно легированной ( свыше 1018 атом / см3) подложки в растущий эпи-таксиальный слой. Борьба с этим фактором приобретает особо важное значение при получении пп - структур с вы-сокоомным эпитаксиальным слоем. [51]

Зависимость концентрации легирующей примеси фосфора ( л, см в эпитаксиальных слоях кремния, осажденных при 1400 К со скоростью 0 6 мкм / мин, от парциального давления PHS ( РрН МПа ( а и от скорости. [52]

Следующая важная задача технологии однослойных эпитаксиальных структур элементарных полупроводников - создание условий, обеспечивающих их максимальное структурное совершенство. По геометрическому признаку дефекты структуры эпитаксиальных слоев разделяют на поверхностные и объемные. [53]

Зависимость эффективного коэффициента распределения k примеси сурьмы в монокристалле германия, выращиваемом методом Чохральского с различными скоростями. [54]

Особенно необходим их учет при получении монокристаллов элементарных полупроводников, имеющих ярко выраженную скоростную зависимость эффективного коэффициента распределения. [55]

В некоторых случаях содержание кислорода в монокристаллах элементарных полупроводников может быть снижено путем введения в расплав примесей, имеющих большое сродство к кислороду: германия, кремния, олова, свинца, кальция, алюминия, редкоземельных элементов и др. Количество вводимой в расплав примеси рассчитывают с учетом стехиометрии образующегося оксида. При этом учитывают влияние примеси-раскислителя на электрические свойства полупроводника. [56]

Соотношение между единицами выражения концентрации примеси. [57]

На подготовительных операциях, особенно при производстве полкристаллических элементарных полупроводников, используют вещества обычной чистоты. [58]

Страницы: 1 2 3 4