Реальный полупроводник
Cтраница 1
Реальные полупроводники имеют сложную форму спектральной кривой фотоэлектрической чувствительности. Практически такая задача сводится к взятию соответствующего интеграла. [1]
Однако реальные полупроводники всегда имеют примеси, которые существенно влияют на характер электрической проводимости, в этом случае называемой примесной. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорные примеси имеют на валентной электронной оболочке большее число электронов, чем их число на валентной электронной оболочке атома основного элемента полупроводника. [2]
 |
Экспериментальные кривые температурного хода электрического сопротивления в образцах кремния с различным дозированным содержанием примесных атомов фосфора. [3] |
У реальных полупроводников ход этих кривых может значительно отклоняться от указанного как потому, что сами физические явления описываются в теории приближенно, так и потому, что в материалах, с которыми мы имеем дело на практике, имеется не один, а несколько сортов примесных центров, у которых энергии активации могут быть различными. На рис. 21 - 23 приведены экспериментальные кривые температурной зависимости электропроводности для атомного полупроводника - серого олова, ионного - закиси меди и для интерметаллического соединения Mg2SL, содержащих различные количества примесей. [4]
Структура реальных полупроводников не обладает строгой периодичностью идеального кристалла. [5]
 |
Зависимость электропроводности от температуры для собственного полупроводника.| Зависимость электропроводности полупроводника с различной концентрацией примесей. [6] |
У реальных полупроводников ход этих кривых может отличаться из-за того, что в материалах, применяемых на практике, имеется не один, а несколько видов примесей, у которых энергия ионизации ( активации) различна. [7]
 |
Энергетическая диаграмма перехода GaAs - InSb. [8] |
Поверхности реальных полупроводников имеют дефекты, искажающие описанную картину явлений на контактах. Поэтому для получения контакта с заданными свойствами требуется сложный технологический процесс. [9]
 |
Кривые зависимости удельной проводимости полупроводников от температуры при различных концентрациях примеси ( NR1 N № дз. д. [10] |
У реальных полупроводников эти кривые могут значительно отклоняться от указанных как вследствие того, что физические явления описываются в теории приближенно, так и потому, что в материалах, применяемых на практике, имеется не один, а несколько видов примесей, у которых энергии активации могут быть различными. [11]
 |
Энергетическая диаграмма перехода GaAs - InSb. [12] |
Поверхности реальных полупроводников имеют дефекты, искажающие описанную картину явлений на контактах. Поэтому для получения контакта с заданными свойствами требуется сложный технологический процесс. [13]
Особенности реальных полупроводников определяются особенностями их системы электронных уровней и наличием примесей, которые даже при крайне незначительном содержании оказывают большое влияние на электропроводность. Отметим сразу же, так как это обстоятельство будет иметь значение при рассмотрении полимеров с полупроводниковыми свойствами, что роль, аналогичную роли примесей, могут играть отклонения от стехиометрии, а также любые нарушения регулярности в цепи главных валентностей макромолекулы. [14]
 |
Структурные дефек - связь меЖду этими различ-ты Шоттки в кристалле 1ШШ1 т сш е.. природе ха. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5