Реальный полупроводник

Cтраница 3

В реальных полупроводниках со сложной структурой энергетических зон, как и в процессах электропереноса, необходимо учитывать вклад в теплоперенос носителей разного сорта и межзонное ( междолинное) рассеяние. Например, в полупроводниках р-типа ( GeTe, SnTe, PbTe, Cu2Te), имеющих в валентной зоне две подзоны легких ( /) и тяжелых ( 2) дырок ( рис. 96), с ростом температуры увеличивается вклад в теплопроводность тяжелых дырок и возрастает рассеяние тяжелых дырок на легких. Следовательно, при повышении температуры диффузия носителей заряда из подзон будет приводить к дополнительной биполярной теплопроводности. [31]

Быстрые / и мед. [32]

На реальном полупроводнике всегда имеется слой оксида. Поэтому поверхностные состояния могут находиться не только непосредственно на полупроводнике, но также в слое оксида и на его поверхности. При изменении внешнего электрического поля и при соответствующем изменении энергетической диаграммы вблизи поверхности полупроводника должно происходить заполнение или опустошение электронами по крайней мере некоторых поверхностных состояний. [33]

В реальных полупроводниках очень часто собственная проводимость соизмерима с примесной. Имеются полупроводники, в которых одновременно содержатся акцепторные и донорные примеси. Такой общий случай и рассмотрен ниже. Задача состоит в нахождении энергии Ферми ( химического потенциала электронов), а также электронов проводимости и дырок для полупроводника при условиях. [34]

В реальных полупроводниках имеют место все виды нарушения строгой периодичности поля решетки, поэтому рассеяние носителей носит сложный хврак-тер. [35]

В любом реальном полупроводнике всегда имеется и некоторая концентрация акцепторов. Поэтому часть электронов с донорных уровней перейдут на акцепторные. Электроны, локализованные на донорных уровнях, получают, таким образом, возможность перескочить на свободные донорные уровни. Приложение внешнего электрического поля приводит к тому, что прыжки приобретают направленный характер. Если температуру полупроводника повышать, то в зоне проводимости постепенно начинает доминировать обычная проводимость. [36]

Однако в реальных полупроводниках всегда остается примесь, которая обеспечивает конечную проводимость при любых температурах. [37]

В каждом реальном полупроводнике, находящемся при невысоких температурах, число носителей тока одного сорта всегда превышает число носителей другого сорта. [38]

Энергетические диаграммы примесных полупроводников. с нейтральной примесью ( а и дырочного с учетом поверхностных состояний ( б. [39]

Особую роль в любом реальном полупроводнике играет его поверхность. Структурные нарушения кристаллической решетки и наличие адсорбированных атомов создают вблизи поверхности дополнительные энергетические уровни, называемые поверхностными. [40]

По структуре энергетических зон реальные полупроводники делятся на два основных типа. Такой конфигурацией зон обладает антимонид индия. Для кремния на рис. 7.10 приведена более сложная зависимость энергии электрона от волнового вектора. Из рисунка видно, что характер кривых зависит от кристаллографического направления. Одному и тому же значению волнового вектора соответствует несколько значений энергии. Наблюдается наличие нескольких экстремумов в зоне. Большинство полупроводников, в том числе и германий, обладает сложной структурой энергетических зон. [41]

В настоящее время в реальных полупроводниках явление аномальной электропроводности электронов теоретически исследуется, например, методом Монте-Карло. Проводятся также некоторые экспериментальные исследования. Однако достаточно достоверных численных результатов для кремния и GaAs пока не получено, поскольку процесс баллистического переноса происходит крайне быстро, за время менее 10 - 12 с. Следует отметить, что у GaAs время достижения устойчивого состояния в пространстве импульсов больше, чем у кремния. [42]

Спектр экситонного приближении. Однако при поглощении кванта поглощения в прямозонном по - света образуется близко расположенная пара. [43]

Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экси-тонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [44]

Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экситонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5