Реальный полупроводник

Cтраница 2

Структура реальных полупроводников отличается от идеальной, для которой характерна строгая упорядочен -, ноеть атомов в решетке. Такие дефекты называют дефектами Шоттки - по имени ученого, открывшего подобные нарушения в твердых телах. Другой вид дефектов мы рассматривали, когда обсуждали механн. Внедренный нон может быть тем же, что и ионы решетки кристалла, а может быть и инородным, попавшим в твердое тело во время его кристаллизации. [16]

Быстрые ( / и медленные ( 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [17]

На реальном полупроводнике всегда имеется слой окисла. Поэтому поверхностные состояния могут находиться не только непосредственно на полупроводнике, но также в слое окисла и на его поверхности. При изменении внешнего электрического поля и при соответствующем изменении энергетической диаграммы вблизи поверхности полупроводника должно происходить заполнение или опустошение электронами, по крайней мере, некоторых поверхностных состояний. Поверхностные состояния, расположенные вблизи границы раздела полупроводник - окисел, заполняются или опустошаются относительно быстро, так как в полупроводнике есть достаточное количество свободных электронов в зоне проводимости и дырок ( пустых энергетических уровней) в валентной зоне. [18]

В реальных полупроводниках и р-п переходах помимо описанных выше основных процессов наблюдается и множество других второстепенных явлений, которые, однако, могут оказывать существенные влияния на характеристики полупроводниковых приборов. [19]

Быстрые / и медленные 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [20]

На реальном полупроводнике всегда имеется слой оксида. Поэтому поверхностные состояния могут находиться не только непосредственно на полупроводнике, но также в слое оксида и на его поверхности. При изменении внешнего электрического поля и при соответствующем изменении энергетической диаграммы вблизи поверхности полупроводника должно происходить заполнение или опустошение электронами по крайней мере некоторых поверхностных состояний. [21]

В реальных полупроводниках обычно имеется и донорная, и акцепторная примеси. Такой полупроводник ведет себя как примесный с типом электропроводности, соответствующим преобладающей примеси, и с концентрацией, равной разности концентраций доноров и акцепторов. [22]

В реальных полупроводниках очень часто собственная проводимость соизмерима с примесной. Имеются полупроводники, в которых одновременно содержатся акцепторные и донорные примеси. Такой общий случай и рассмотрен ниже. Задача состоит в нахождении энергии Ферми ( химического потенциала электронов), а также концентрации электронов проводимости и дырок для полупроводника при заданных условиях. [23]

В реальных полупроводниках обычно одновременно действует несколько механизмов рассеяния. [24]

В реальных полупроводниках со сложной структурой энергетических зон, как и в процессах электропереноса, необходимо учитывать вклад в теплоперенос носителей разного сорта и межзонное ( междолинное) рассеяние. Например, в полупроводниках р-типа ( GeTe, SnTe, PbTe, Cu2Te), имеющих в валентной зоне две подзоны легких ( /) и тяжелых ( 2) дырок ( рис. 96), с ростом температуры увеличивается вклад в теплопроводность тяжелых дырок и возрастает рассеяние тяжелых дырок на легких. Следовательно, при повышении температуры диффузия носителей заряда из подзон будет приводить к дополнительной биполярной теплопроводности. [25]

В реальных полупроводниках обычно одновременно действуют несколько механизмов рассеяния. [26]

Взаимодействие фононов в процессах переброса. [27]

В реальных полупроводниках рекомбинация происходит не между электронами и дырками на двух уровнях, а между электронами, находящимися на одной группе уровней, и дырками на другой, вследствие чего спектр излучения оказывается размытым. [29]

В реальных полупроводниках обычно одновременно действует несколько механизмов рассеяния. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5