Реальный полупроводник
Cтраница 4
 |
Спектр экситонного приближении. Однако при поглощении кванта поглощения в прямозонном по - света образуется близко расположенная пара. [46] |
Дискретные линии экситонного спектра в реальных полупроводниках становятся с температурой тем шире, чем больше номер экси-тонной линии, вследствие чего происходит взаимное наложение линий при п 2 при не очень низких температурах. [47]
Очевидно, что в спектрах СФУР реальных полупроводников содержится смесь пиков, соответствующих процессам с сохранением k и одномерной плотности состояний. Полной ясности в вопросе о том, почему к этим двум семействам полупроводников применимы противоположные модели, не существует. Однако можно предположить, что модель непрямых переходов применима тем лучше, чем большее число одномерных критических точек находится внутри зоны Бриллюэна. [48]
В действительности рассмотренная ситуация на поверхности реальных полупроводников обычно не наблюдается из-за наличия на ней тонкого слоя оксида, адсорбированных атомов, примеси, дислокаций и др., которые так же, как и обрыв кристаллической решетки, обусловливают образование поверхностных уровней на энергетической диаграмме. Эти уровни могут быть как донорными ( рис. 11.1 а), так и акцепторными. [49]
 |
Искажение энергетических зон у поверхности полупроводника и образование различных поверхностных слоев. [50] |
Очевидно, что такая сложная структура поверхности реального полупроводника характеризуется дополнительными энергетическими уровнями в запрещенной зоне донорного, акцепторного типа или типа ловушек. [51]
 |
Искажение энергетических зон у поверхности полу проводника и образование поверхностных слоев. [52] |
Очевидно, что такая сложная структура поверхности реального полупроводника характеризуется дополнительными энергетическими уровнями в запрещеннойзонедонорного акцепторноготипаилитипа ловушек. [53]
 |
Искажение энергетических зон у поверхности полупроводника и образование различных поверхностных слоев. [54] |
Очевидно, что такая сложная структура поверхности реального полупроводника характеризуется дополнительными энергетическими уровнями в запрещенной зоне донорного, акцепторного типа или типа ловушек. [55]
Отмеченными выше обстоятельствами и предопределяется возникновение в реальных полупроводниках объемно-градиентных явлений [577], всецело обусловливаемых плавными градиентами удельного сопротивления. [56]
Первая вводится для удобства оценки эффективной массы носителей в реальных полупроводниках при замене изоэнергетических поверхностей, в частности для долин в зоне проводимости, усредненной сферической поверхностью. Обычно ее находят из кинетических эффектов, например при измерении температурной зависимости коэффициента Холла или электропроводности. [57]
Рассказывая о влиянии температуры на характер электропроводности, мы употребили выражение реальный полупроводник, так как на практике в большинстве случаев имеют дело не с совершенно чистыми полупроводниками, обладающими строго собственной проводимостью, а с примесными полупроводниками. Для ряда практических задач крайне необходимы совершенно чистые полупроводниковые вещества. Получение подобных веществ сопряжено с весьма трудоемкими технологическими процессами, значительно удорожающими стоимость чистых препаратов. И все же в этих сложных процессах не удается получить идеально чистые вещества, не имеющие ни единого атома примеси. В процессе синтеза полупроводниковых соединений или при получении элементарных полупроводниковых веществ в них вносятся загрязнения самой аппаратурой, поэтому создание более или менее чистых веществ является серьезной проблемой. [58]
 |
Схема поверхностного слоя германия ( поверхность не пассивирована. [59] |
Поверхностные состояния - есть дополнительные энергетические состояния, которые появляются на поверхности реального полупроводника благодаря химическим примесям в кристалле или дефектам кристаллической решетки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5