Кристаллический полупроводник

Cтраница 1

Кристаллические полупроводники принадлежат к типу твердых тел, у которых, в отличие от изоляторов, запрещенная зона между полностью заполненной ( валентной) зоной и первой незаполненной зоной не очень велика, так что возможен переброс электронов путем теплового возбуждения. Поэтому при JT0 в них возможен электрический ток и верхняя зона оказывается зоной проводимости. [1]

Кристаллический полупроводник PbSe имеет кубическую решетку типа NaCl и отличается высокой температурой плаз - ления Тпл 1088 С. Электронную проводимость получают при избытке Pb, а также при введении РЬС12, дырочную - при избытке Se, а также введении As и Те. Синтезирование селенида свинца осуществляют в кварцевых вакуумированных ампулах; полученный материал уплотняют прессовкой при температуре 750а С в течение 5 мин. Селенид свинца характеризуется энергией W0 0 26 эв; он получил применение в элементах термоэлектрогенераторов с рабочей температурой 300 - н - 700 С. При значениях ( для п-типа) а 170 мкв / град, у 700 Мом-см и и 1 625 - Ю 2 вт / см-град получается эффективность г - 1 25 - 10 - 3 l / град, что является относительно высоким значением. Селенид свинца отличается хрупкостью и низкой упругостью паров при высоких температурах. [2]

Значения г из КРР для окиси алюминия. [3]

Кристаллические полупроводники типа А4 В5 отличаются от полупроводников типа А3 В5 и А2 В6 тем, что в последних осуществляются только связи типа А - В, в то время как в первых образуются еще связи А - А и В - В. [4]

Электронные переходы в амиднои [ IMAGE ] Волновые функ-группе ции амиднои группы. [5]

Некоторые кристаллические полупроводники бесцветны, но это не дает оснований считать биополимеры полупроводниками. По-видимому, малая электропроводность биополимеров объясняется присутствием трудно отделяемых ионов металлов и биологического значения не имеет. [6]

Кроме кристаллических полупроводников, было использовано множество иных видов детекторов, основанных на различных физических явлениях - от магнитного гистерезиса до электролитических свойств жидкостей. [7]

Свойства кристаллических полупроводников удовлетворительно объясняются зонной теорией твердого тела. [8]

Энергетические диаграммы кристаллических полупроводников собственной ( а, электронной ( б и дырочной ( в электропроводности. [9]

В кристаллических полупроводниках при низких температурах ( близких к абсолютному нулю) часть разрешенных зон ( с меньшей энергией) полностью заполнена электронами, а в остальных электроны отсутствуют. В верхней заполненной зоне находятся электроны, расположенные на внешних оболочках атомов и участвующие в химических связях с соседними атомами, так называемые валентные электроны. Поэтому эту зону называют валентной. Нижнюю, не занятую электронами зону разрешенных уровней называют зоной проводимости. [10]

Если через хорошо проводящий кристаллический полупроводник пропустить импульс тока значительной величины ( до 200 - 300 мА в течение 3 - Ь мс), то полупроводник перейдете плохопроводящееаморфное состояние. [11]

Основные свойства кристаллических полупроводников могут быть изучены на одном-двух типичных материалах, например Si и GaAs. Их свойства можно легко изменить легированием. [12]

Схемы образования. [13]

Одна из особенностей кристаллических полупроводников заключается в том, что ничтожная добавка в них примесей других веществ резко повышает их электрическую проводимость. Например, 0 001 % примесей в германии увеличивает число свободных электронов в нем в 104раз, соответственно в 104 раз возрастает электрическая проводимость. Доля собственной электрической проводимости станет настолько ничтожной, что ею можно практически пренебречь и считать электрическую проводимость полупроводника примесной. [14]

Предполагаемое положение атома фосфора в кристаллическом ( а и аморфном ( б кремнии.| Механизм компенсации донорных уровней в аморфном полупроводнике. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5