Кристаллический полупроводник

Cтраница 4

Ранние исследования жидких полупроводников основывались главным образом на наблюдении изменений электрических свойств, происходящих при плавлении кристаллических полупроводников, но, поскольку жидкости могут иметь широкие области стехиометрии, жидкие полупроводники очень удобно рассматривать как системы сплавов, в которых состав может изменяться непрерывно. С этой точки зрения системы жидких полупроводников включают в себя такие бинарные системы, как Se-Те, Т1 - Те, Т1 - Se, Ag-Те, Mg-Bi, V-О и многие другие. Очевидно, что многие тройные и более сложные системы могут попадать в этот класс веществ, но на настоящей стадии развития исследований в указанной области дополнительная сложность более чем одной композиционной переменной часто не помогает пролить свет на главные вопросы. Поэтому тройные системы не очень хорошо изучены. [46]

Таким образом, обнаружено влияние кислорода и других примесей как на полимерные полупроводники, так и на неорганические кристаллические полупроводники, однако оно не столь велико, как в неорганических полупроводниках в случае твердых примесей. [47]

Схема движения дислокационного диполя под действием растягивающего напряжения о. [48]

Метод травления для определения плотности дислокаций в кристаллах был за последние годы развит до высокого совершенства для кристаллических полупроводников в связи с тем, что их электрические свойства очень сильно зависят от концентрации дислокаций. В табл. 15.1 приведены травители дислокаций для различных групп веществ. [49]

Эти носители могут совершать прыжки между локализованными состояниями, как это имеет место в процессе примесной проводимости у сильнолегированных кристаллических полупроводников. [50]

В первом случае незначительно изменяется только структура БП, тогда как преимущественно ковалентный тип межатомных связей, свойственный кристаллическим полупроводникам, сохраняется в жидкой фазе. [51]

Теперь мы обратимся к результатам Глазова и др. [108], которые систематически изучали поведение АХ при плавлении для ряда кристаллических полупроводников. Этими авторами было обнаружено, что для Ge, Si и соединений элементов групп III - V AlSb, InSb, GaAs и InAs в жидком состоянии величина АХ положительна, а величина d % / dT мала. [52]

В-третьих, аморфные полупроводники, как правило, не чувствительны к наличию примесей, что принципиально отличает их от кристаллических полупроводников. В последние годы, однако, были найдены методы легирования аморфных германия и кремния. [53]

Нехалькогенидные стекла ( например, на основе ZnAs2 и CdAs2) по структуре и свойствам занимают промежуточное положение между кристаллическими полупроводниками и халькогенидными стеклами. [54]

Естественно, что чем выше температура, тем больше таких покидающих свои атомы электронов, а значит, и проводимость кристаллического полупроводника. [55]

Изучение края поглощения для оптических переходов между валентной зоной и зоной проводимости является классическим методом определения величины запрещенной зоны в кристаллических полупроводниках. [56]

В супергетеродинных приемниках сантиметрового диапазона волн преимущественно используются кристаллические смесители, в которых в качестве нелинейного элемента применяется контактная пара между кристаллическим полупроводником и пружинящей проволокой. [57]

При сохранении полупроводимости после плавления температурная зависимость электропроводности носит экспоненциальный характер и может быть описана таким же уравнением, как и для твердого кристаллического полупроводника в области собственной проводимости. [58]

На внешней оболочке атомов кремния и германия находятся 4 валентных электрона, связанных химическими ( ковалентными) связями ( стр. Кристаллические полупроводники относятся к типу твердых тел с полностью занятой электронами валентной энерге-тической зоной ( стр. [59]

Изменение ширины запрещенной зоны при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5