Кристаллический полупроводник

Cтраница 2

В отличие от кристаллического полупроводника, где при комнатной температуре электроны с мелких донорных уровней переходят в зону проводимости, здесь они перейдут, в основном, на локализованные состояния вблизи уровня Ферми. При высокой плотности состояний это приводит к незначительному смещению уровня Ферми из положения EF в положение Ер и электрические свойства полупроводника практически не изменятся. [16]

Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. [17]

Одна из особенностей кристаллических полупроводников заключается в том, что ничтожная добавка в них примесей других веществ резко повышает их электрическую проводимость. Например, 0 001 % примесей в германии увеличивает число свободных электронов в нем в 104 раз, соответственно в 104 раз возрастает электрическая проводимость. Доля собственной электрической проводимости станет настолько ничтожной, что ею можно практически пренебречь и считать электрическую проводимость полупроводника чисто примесной. [18]

Зависимость термоэлек. [19]

По аналогии с кристаллическими полупроводниками, относительно которых известно, что нарушение стехиометрии даже в незначительной степени существенно изменяет их электрические свойства, на... Это изучение, проведенное на стеклах TISe As2Se3 и As2Se3 As2Te3, показало, во-первых, что стеклообразное состояние сохраняется при изменении содержания отдельных компонентов, достигающем 30 - 70 ат. [20]

При температуре абсолютного нуля высокочистые бездефектные кристаллические полупроводники должны вести себя как изоляторы. [21]

Зависимость проводимости от состава для системы.| Зависимость термо-э. д.с. от состава в системе As2Ses. [22]

Халькогенидные стекла отличаются от кристаллических полупроводников малой чувствительностью электропроводности к примесям и ничтожной подвижностью носителей тока. [23]

Графики распределения плотности состояний по энергии N ( E в. [24]

График распределения плотности состояний собственного кристаллического полупроводника показан на рис. 4, а. В зоне проводимости и в валентной зоне такого полупроводника плотность состояний велика, а в запрещенной зоне - равна нулю. В запрещенной зоне электронного ( рис. 4, б) и дырочного ( рис. 4, в) кристаллических полупроводников появляется пик ( заштрихован), соответствующий донорным или акцепторным уровням. [25]

Первые шаги по приложению теории кристаллических полупроводников к полупроводникам некристаллическим были сделаны Моттом. Мотт предположил, что электронные состояния, как и в кристаллах, расположены в зонах, разделенных запрещенными зонами, и состояния в запрещенной зоне являются следствием дефектов. В некристаллической фазе, сохраняющей в основном черты ближнего порядка фазы кристаллической ( сходные длины связей, величины валентных углов и КЧ), сохраняются и основные характеристики плотности состояний при некоторых их различиях. [26]

Известно, что электрические свойства кристаллических полупроводников в значительной степени определяются характером посторонних примесей и их содержанием. Электрические свойства кристаллических полупроводников чрезвычайно чувствительны к малейшему изменению химического состава. Даже незначительные количества примесей могут привести к существенному изменению величины электропроводности и характера ее зависимости от температуры. Примеси определяют знак носителей тока; от их характера и количества в значительной степени зависит длина свободного пробега электронов, а следовательно, и подвижность носителей тока. [27]

Примеси, которые обычно добавляются в кристаллический полупроводник, резко изменяют физическую картину прохождения электрического тока. [28]

Наибольшее значение в настоящее время имеют неорганические кристаллические полупроводники. Спектр неорганических кристаллических полупроводниковых материалов достаточно велик. [29]

Легирование, применяемое для управления свойствами кристаллических полупроводников, в этом случае оказывается полностью-неэффективным. Действительно, плотность состояний донорных ( или акцепторных) уровней, возникающих в запрещенной зоне полупроводника при его легировании примесью, остается много меньше плотности локализованных состояний, обусловленных дефектами. Поэтому донорные ( акцепторные) уровни не оказывают серьезного влияния на свойства некристаллического материала. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5