Кристаллический полупроводник

Cтраница 3

Что называется ковалентной связью между атомами кристаллического полупроводника. [31]

Стеклообразные полупроводники отличаются ( по сравнению с кристаллическими полупроводниками) дешевизной и хорошими технологическими свойствами. Особенно существенно, чтс на их электрические свойства мало влияют примеси; это в ряде случаев позволяет огдагь предпочтение этим полупроводникам перед кристаллическими полупроводниковыми материалами. [32]

Стеклообразные полупроводники отличаются ( по сравнению с кристаллическими полупроводниками) дешевизной и хорошими технологическими свойствами. Особенно существенно, что на нх электрические свойства мало влияют примеси; это в ряде случаев позволяет отдать предпочтение этим полупроводникам перед кристаллическими полупроводниковыми материалами. [33]

Как известно, в последние годы наряду с кристаллическими полупроводниками существенное значение получили некристаллические, к которым относятся бескислородные стекла, получаемые на основе сульфидов и селенидов мышьяка, сурьмы и висмута. [34]

Этот вид переноса аналогичен прыжковой проводимости по примесям в кристаллических полупроводниках. [35]

Описанная выше теория ИНЕС была разработана и изучена на обычных кристаллических полупроводниках, в которых имеются ЛУНРЭ. Исходя из этого, представляется, что концепция ИНЕС применима к явлениям переноса в a - Si: H. В настоящее время детальная природа р-г - - перехода или барьера Шоттки, сформированных на a - Si: H, до конца не изучена и отсутствует строгая теория емкости обедненного слоя в аморфной системе. Поэтому для применения ИНЕС-метода к a - Si: H следует тщательно изучить диодные характеристики. [36]

Описанная выше теория ИНЕС была разработана и изучена на обычных кристаллических полупроводниках, в которых имеются ЛУНРЭ. Исходя из этого, представляется, что концепция ИНЕС применима к явлениям переноса в a - Si: H. В настоящее время детальная природа р-г-я-перехода или барьера Шоттки, сформированных на a - Si: H, до конца не изучена и отсутствует строгая теория емкости обедненного слоя в аморфной системе. Поэтому для применения ИНЕС-метода к a - Si: H следует тщательно изучить диодные характеристики. [37]

Изменение ширины запрещенной зоны при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние. [38]

Следует подчеркнуть, что практически все методы изучения электрических свойств кристаллических полупроводников оказалось возможным применить и к стеклообразным. [39]

К началу шестидесятых годов были заложены основы для понимания оптических свойств кристаллических полупроводников. Они базировались на существовании дальнего порядка и сохранении fe - вектора, что приводило к появлению резких полос в спектрах, связанных с сингулярностями Ван Хова. [40]

К), которое отличается от температурной зависимости коэффициента электропроводности для кристаллических полупроводников, имеющей степенной характер. [41]

Приведенные данные показывают, что электрические и оптические свойства аморфных полупроводников похожи на свойства кристаллических полупроводников, но не тождественны им. Это сходство, как показал специальный анализ, обусловлено тем, что энергетический спектр электронов и плотность состояний для ковалентных веществ, которым относятся полупроводники, определяются в значительной мере ближним порядком в расположении атомов, поскольку ковалентные связи короткодействующие. Поэтому кривые Л / ( е) для кристаллических и аморфных веществ во многом схожи, хотя и не идентичны. Для обоих типов веществ обнаружены энергетические зоны: валентная, запрещенная и проводимости. [42]

Мы не будем исследовать, в какой мере объяснение физических процессов, происходящих в кристаллических полупроводниках, может быть перенесено на старые поликристаллические элементы. [43]

Это выражение аналогично по форме соответствующему выражению для коэффициента поглощения при непрямых переходах в кристаллических полупроводниках. [44]

Легирование - контролируемое введение в материал примесей - позволяет в широких пределах управлять электрифизически-ми свойствами кристаллических полупроводников. При этом возможны два случая. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5