Cтраница 1
Аморфные полупроводники изготовляют в виде тонких пленок напылением или осаждением на подложку. Если температура подложки невысока, попадающие на нее атомы не имеют достаточной энергии для перемещения ( миграции) и не могут выстроиться в кристаллическую решетку. В результате образуются пленки с некристаллической структурой, характерной особенностью которых по сравнению со стеклами является отсутствие эффекта размягчения. В процессе нагрева такой материал при некоторой температуре переходит из твердого некристаллического состояния в кристаллическое. [1]
![]() |
Солнечный спектр в условиях АМ-1. [2] |
Аморфные полупроводники обладают относительно бопьшой эластичностью постоянных решетки. Поэтому в структурах каскадного типа, изготовленных из аморфных полупроводниковых материалов, упругие напряжения в решетке относительно ниже, чем в элементах на основе кристаллических материалов. [3]
Аморфные полупроводники используются в качестве тонкопленочных оптических волноводов, оптических переключателей и оптических модуляторов. Описаны преимущественно оптические волновые явления, происходящие при излучении с длиной волны 10 6 мкм в напыленных аморфных пленках Se с золотым покрытием. [4]
Аморфные полупроводники обладают рядом уникальных свойств. Например, у них ярко выражен эффект электрического переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно. [5]
Аморфные полупроводники привлекают большое внимание благодаря относительной легкости синтеза. Однако в настоящее время они обладают низкой чувствительностью, и исследования этих сред в первую очередь должны быть направлены на повышение чувствительности к записи. [6]
Аморфные полупроводники особенно детально исследованы в случае применения их в электрических схемах в качестве переключателей. Принцип работы элемента памяти под действием электрического поля в аморфном полупроводнике заключается в том, что после снятия порогового напряжения возникшее состояние высокой проводимости запоминается. Поэтому при последующем приложении напряжения уже не требуется время на само переключение. [7]
Аморфные полупроводники экономически выгоднее так как их изготовление не требует тщательно контролируемых методов выращивания кристаллов. Приборы на аморфных полупроводниках получают широкое применение. [8]
![]() |
Солнечный спектр в условиях АМ-1. [9] |
Аморфные полупроводники обладают относительно бопьшой эластичностью постоянных решетки. Поэтому в структурах каскадного типа, изготовленных из аморфных полупроводниковых материалов, упругие напряжения в решетке относительно ниже, чем в элементах на основе кристаллических материалов. [10]
Аморфные полупроводники используются в качестве тонкопленочных оптических волноводов, оптических переключателей и оптических модуляторов. Описаны преимущественно оптические волновые явления, происходящие при излучении с длиной волны 10 6 мкм в напыленных аморфных пленках Se с золотым покрытием. [11]
![]() |
Элементы периодической системы, которые можно получить в аморфном или стеклообразном состоянии. [12] |
Ковалентные аморфные полупроводники в дальнейшем делятся еще на два класса. К первому классу относятся материалы с тетраэдрической направленностью связей, такие как элементы Si, Ge и соединения Л1 Bv. Эти материалы могут быть приготовлены в аморфной фазе лишь вакуумным напылением тонких пленок. [13]
Использование аморфных полупроводников представляется многообещающим, особенно при изготовлении фотодатчиков. [14]
Для аморфных полупроводников при низкой температуре определяющее значение может иметь ld и длина свободного пробега будет много меньше, чем в кристаллах при той же температуре. [15]