Аморфный полупроводник
Cтраница 4
Положительными особенностями приборов на аморфных полупроводниках являются простота их изготовления и высокая устойчивость к проникающей радиации. [46]
Достижения твердотельной электроники на аморфных полупроводниках описаны в гл. Показаны возможности аморфного кремния в технологии тонкопленочных транзисторов и интегральных схем, снабженных для вывода информации экраном на жидких кристаллах. Обсуждены физические аспекты создания на аморфном кремнии эффективного барьера Шоттки. [47]
Обсуждается роль локализованных состояний в аморфных полупроводниках и их возможное использование в приборах. В конце главы дано краткое обоснование выбора редакционной коллегией тем статей, помещенных в книге, и структура изложения материала. [48]
В рассматриваемом классе соединений - аморфных полупроводниках - реализация фазовых переходов достигается самыми различными способами. [49]
 |
Зависимость изменения относительной дифракционной эффективности г / т й от числа циклов запись-стирание ( N для пленок. 1 - As2Se3. 2 - AsSe. 3 - AsSe - I. [50] |
В способах оптической записи в аморфных полупроводниках стирание записанной информации во всех случаях связано с нагревом материала. Нагрев приводит к равномерной аморфизации вещества ( устранение кристаллизованных участков, пустот, обратный переход в изначальное состояние) или, наоборот, кристаллизации аморфизированных при записи участков. [51]
Таким образом, переключатели на аморфных полупроводниках могут иметь у-образные вольт-амперные характеристики, которые, на первый взгляд противоречат тепловому механизму переключения. [52]
Таким образом, переключатели на аморфных полупроводниках могут иметь у-образные ВАХ, которые на первый взгляд противоречат тепловому механизму переключения. [53]
Почему в элементах памяти на аморфных полупроводниках открытое состояние может сохраняться даже после отключения прибора от источника питания. [54]
Обсуждается роль локализованных состояний в аморфных полупроводниках и их возможное использование в приборах. В конце главы дано краткое обоснование выбора редакционной коллегией тем статей, помещенных в книге, и структура изложения материала. [55]
Таким образом, переключатели на аморфных полупроводниках могут иметь у-образные ВАХ, которые на первый взгляд противоречат тепловому механизму переключения. [56]
Следует отметить, что в реальных аморфных полупроводниках не наблюдается монотонного уменьшения плотности локализованных состояний по мере удаления от порогов подвижности, а, как показано на рис. 6.1, б, в отдельных диапазонах: энергий существуют отчетливо выраженные пики плотности состояний. Появление этих состояний связано с наличием дефектов, природу которых не всегда удается установить. Положение уровня Ферми в значительной степени зависит от характера распределения носителей заряда в локализованных: состояниях. [57]
Страницы: 1 2 3 4