Аморфный полупроводник
Cтраница 2
Теория аморфных полупроводников еще не создана, но нельзя сомневаться в том, что, как только они получат практическое значение и в особенности технические выходы, теория будет создана. [16]
Теория аморфных полупроводников еще не создана, имеются лишь первые попытки в этом направлении. Но нельзя сомневаться в том, что как только аморфные полупроводники найдут технические выходы, теория будет создана. Некоторые применения стекловидных полупроводников уже намечаются. [17]
 |
Рост ежегодного числа научных публикаций, посвященных. [18] |
Исследования аморфных полупроводников начались в 1968 г., когда Овшинский [1] впервые получил подобное вещество. Оказалось, и это вызвало серьезный интерес, что аморфные полупроводники могут с успехом заменить и даже превзойти обычный аморфный диоксид кремния в таких важных на сегодняшний день конструкциях, как солнечные батареи. Вскоре были обнаружены такие замечательные свойства аморфных металлов, как высокая кор-роз ионная стойкость, высокая магнитная проницаемость и ряд других. На рис. 1.1 приведена диаграмма, иллюстрирующая рост числа ( научных публикаций, посвященных аморфным металлам. [19]
Использование аморфных полупроводников представляется многообещающим, особенно при изготовлении фотодатчиков. [20]
К аморфным полупроводникам относят аморфные кремний, германий, ряд других элементов и их сплавы. Тетраэдри-ческие связи приводят к образованию в этих материалах не отдельных молекул, а непрерывной трехмерной сетки химически связанных атомов. [21]
В аморфных полупроводниках локализованными оказываются электронные состояния, лежащие в запрещенной зоне там, где плотность состояний относительно мала. Электроны, находящиеся в локализов. При Т О К этот механизм не работает и локализов. Ферми / р) в аморфных полупроводниках находится глубоко в запрещенной зоне, и при не очень низкой Т электропроводность осуществляется с помощью теплового заброса электронов в состояния, лежащие выше порога подвижности. При самых низких темп - pax электропроводность становится прыжковой. [22]
Во-первых, аморфные полупроводники существуют в широкой области составов, и они не соответствуют в точности составу какого-либо стехиомстрического соединения. Состав кристаллических полупроводников, как правило, точно отвечает составу стехиомстрического соединения или близок к нему. Возможность систематического варьирования состава аморфных материалов позволяет получать материалы с различными свойствами. [23]
Во-вторых, аморфные полупроводники могут легко изменять свою форму, например в аппаратах для ксерокопирования используют тонкие аморфные пленки селена. Монокристаллам гораздо сложнее придавать нужную форму, поэтому непрактично ( и дорого. [24]
В-третьих, аморфные полупроводники, как правило, не чувствительны к наличию примесей, что принципиально отличает их от кристаллических полупроводников. В последние годы, однако, были найдены методы легирования аморфных германия и кремния. [25]
Атомная структура аморфных полупроводников даже теоретически описывается труднее, чем структура других неупорядоченных систем: аморфных и жидких металлов, неупорядоченных сплавов. Это связано с сильной зависимостью физических свойств аморфных полупроводников от взаимной направленности ковалент-ных связей. В жидких и аморфных металлах энергия связи определяется ее металлической составляющей, а межатомные взаимодействия по своей направленности имеют сферический характер. Ориентационная зависимость или отсутствует, или, если она все же существует в некоторых модификациях, ее влиянием можно пренебречь. При рассмотрении межатомных связей несферические взаимодействия необходимо учитывать лишь в некоторых сложных металлических стеклах, атомная структура которых требует привлечения представлений о ионности и ковалент-ности связей. Но и в этих системах зависимость физических свойств от направленности связей далеко не так существенна, как в аморфных полупроводниках, где направленность связей является ярко выраженной первопричиной практически всех их свойств. [26]
В случае аморфных полупроводников реверсивность связана с обратимыми фазовыми переходами. [27]
Само существование аморфных полупроводников опровергает общепринятую в 50 - х годах теорию, согласно которой полупроводимость зависит от строгой периодической расстановки атомов в кристаллической решетке. [28]
Атомная структура аморфных полупроводников даже теоретически описывается труднее, чем структура других неупорядоченных систем: аморфных и жидких металлов, неупорядоченных сплавов. Это связано с сильной зависимостью физических свойств аморфных полупроводников от взаимной направленности ковалент-ных связей. В жидких и аморфных металлах энергия связи определяется ее металлической составляющей, а межатомные взаимодействия по своей направленности имеют сферический характер. Ориентационная зависимость или отсутствует, или, если она все же существует в некоторых модификациях, ее влиянием можно пренебречь. При рассмотрении межатомных связей несферические взаимодействия необходимо учитывать лишь в некоторых сложных металлических стеклах, атомная структура которых требует привлечения представлений о ионности и ковалент-ности связей. Но и в этих системах зависимость физических свойств от направленности связей далеко не так существенна, как в аморфных полупроводниках, где направленность связей является ярко выраженной первопричиной практически всех их свойств. [29]
Большинство электронных свойств аморфных полупроводников определяется не только особенностями локальной атомной структуры, но и взаимодействием достаточно удаленных один от другого атомов. [30]
Страницы: 1 2 3 4