Аморфный полупроводник
Cтраница 3
Диоды на основе аморфных полупроводников могут использоваться в качестве элементов памяти, причем запоминаемое состояние ( высокоомное или низкоомное) остается и после выключения источника питания. [31]
 |
Классификация неорганических аморфных материалов. [32] |
Напротив, параметры аморфных полупроводников мало меняются при введении примесей. Один и тот же материал может существовать в разных структурных состояниях. Возможно, что сейчас еще не найден материал, который наиболее полно характеризует существенные свойства различных аморфных полупроводников. [33]
Рассмотрим основные свойства аморфных полупроводников. [34]
Большинство электронных свойств аморфных полупроводников определяется не только особенностями локальной атомной структуры, но и взаимодействием достаточно удаленных один от другого атомов. [35]
 |
Схема фазовых переходов в аморфных полупроводниках, которые могут осуществляться под действием света, тепла, электрического поля, химической реакции и т. д.. [36] |
Оптическая запись в аморфных полупроводниках основана главным образом на различии двух оптических характеристик в аморфном и кристаллическом состоянии одного и того же материала - оптического пропускания и коэффициента преломления. [37]
Элемент памяти на аморфном полупроводнике - это полупроводниковый прибор-переключатель, сохраняющий открытое состояние после выключения тока и переходящий в закрытое состояние только после прохождения короткого, но относительно мощного импульса тока. [38]
Воду рассматривают и как аморфный полупроводник, поскольку она является диэлектрической средой, в которой движутся и взаимодействуют заряженные частицы Н3О и ОН - по аналогии с электронными полупроводниками. Полупроводниковые свойства воды особенно заметно проявляются в ее тонких слоях, взаимодействующих с сильно ориентированной подложкой, донорные свойства усиливаются в граничных слоях. Следовательно, граничные слои воды приобретают новые, в том числе и структурно-механические свойства ( квазитвердость), если В / Ц оказывается ниже значения, при котором происходит перекрытие граничных слоев. Поэтому стесненное состояние отвечает перекрытию граничных водных слоев, адсорбированных на соседних твердых частицах, и самая ранняя прочность в определенной степени связана со структурно-механическими свойствами водных пленок на поверхности твердой фазы. [39]
Температурная зависимость фотопроводимости большинства аморфных полупроводников изменяется так, как показано на рис. 15.20. В области высоких температур ( режим I) фотопроводимость экспоненциально растет с 1 / Т, обнаруживая хорошо определенную энергию активации. Кроме того, имеется линейная зависимость от интенсивности возбуждающего света. [40]
 |
Методы получения аморфных тел. [41] |
Подробное рассмотрение способов получения аморфных полупроводников не входит в цели настоящей главы. [42]
Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников. [43]
Для оптической записи в аморфных полупроводниках в настоящее время известны шесть основных способов ( принципов), отличающихся использованием того или иного фазового перехода ( табл. 5.3): 1) кристаллизация аморфного вещества; 2) термо-аморфизация кристалла; 3) испарение аморфного вещества; 4) способ записи в сульфиде мышьяка; 5) фотохимические превращения в системах халькогенид-металл; 6) фотоэлектрохимическое травление пленок. [45]
Страницы: 1 2 3 4