Однородный полупроводник

Cтраница 1

Однородные полупроводники применяются в термосопротивлениях и фотосопротивлениях, при этом используется существенная зависимость проводимости от температуры или светового облучения. [1]

Рассмотрим однородный полупроводник, на который падает свет. [2]

Диффузионный резистив-ный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы. [3]

Область однородного полупроводника между двумя омическими контактами может играть роль линейного сопротивления. Поскольку ток протекает в объеме материала, сопротивление не подвержено таким изменениям от нагрузки, как, например, пленочные сопротивления. [4]

В однородном полупроводнике в равновесном состоянии потенциал отклоняется от постоянного значения только вблизи граничной области, в которой физические условия обусловливают различную величину потенциала. Этой граничной областью может быть р - я-переход, поверхность или граница раздела фаз, как например, в случае контакта металл - полупроводник. [5]

В однородном полупроводнике в равновесном состоянии потенциал отклоняется от постоянного значения только вблизи граничной области, в которой физические условия обусловливают различную величину потенциала. Этой граничной областью может быть р - - переход, поверхность или граница раздела фаз, как, например, в случае контакта металл - полупроводник. [6]

Фотоэлектрические элементы. [7]

В однородном полупроводнике, обладающем - проводимостью или р-проводимостью, это относится ко всему объему. [8]

В однородном полупроводнике существенные объемные заряды не могут иметь места в течение времени, большего нескольких времен диэлектрической релаксации, за исключением узких граничных участков протяженностью в несколько характеристических длин. [9]

В однородном полупроводнике существенные объемные заряды не могут иметь места в течение времени, большего нескольких времен диэлектрической релаксации, за исключением узких граничных участков протяженностью несколько характеристических длин. [10]

Модель, иллюстри - [ IMAGE ] Законы распределе-рующая распределение приме - ния примесей. [11]

В однородном полупроводнике все направления являются равновероятными. В неоднородном полупроводнике появляется наиболее вероятное направление движения. Под действием сил теплового движения заряды диффундируют из областей с высокой концентрацией в области с пониженной концентрацией. При отсутствии сил, препятствующих диффузионному распространению зарядов, через некоторое время концентрация зарядов выравняется и станет одинаковой во всем объеме, направленный диффузионный поток прекратится и направления теплового движения зарядов станут снова равновероятными. [12]

N-образная вольтам-первая характеристика полупроводника. [13]

В чистом очень однородном полупроводнике электрическое поле одинаково по всей длине образца. Но если в образце имеется некоторая неоднородность, то напряженность электрического поля в этом месте образца будет несколько выше. [14]

Рассмотрим для простоты однородный полупроводник ( для определенности / г-типа), в котором интенсивность генерации избыточных носителей по каким-то причинам зависит от координаты. [15]

Страницы: 1 2 3 4