Однородный полупроводник

Cтраница 4

Представляет собой одну из первых экспериментальных работ по исследованию влияния сильного электрического поля на электропроводность однородных полупроводников. Показано, что ни одно из предложенных в то время объяснений эффекта сильного поля не удовлетворяет данным опыта. [46]

Важным параметром полупроводниковых материалов является также диффузионная длина L - расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. Диффузионная длина неосновных носителей заряда является важной характеристикой полупроводника, зависящей от наличия в нем примесей и совершенства кристаллической решетки. [47]

В литературе описаны явления, всецело определяемые искусственными градиентами объемных свойств кристаллов, создаваемыми в относительно однородных полупроводниках посредством упомянутых выше внешних воздействий. Например, в [573 - 575] было показано, что освещение однородного, но неравномерно нагретого полупроводника приводит к возникновению так называемого термического фотоэффекта. Подобно этому в монокристаллах Ge и Si, подвергающихся воздействию неравномерно распределенной нагрузки, возникает фотопьезоэлектрический эффект [576], связанный с изменением ширины запрещенной зоны в кристалле от давления. [48]

Плотность уровней энергии, функция вероятности и концентрация носителей в примесном полупроводнике л-типа.| Плотность уровней энергии, функ - ГДе. / Уд, Nf - концентрации ция вероятности и концентрация носителей ионизированных до - в примесном полупроводнике р-типа. [49]

И ] ( см. также § 1 - 12) и формулируется следующим образом: в однородном полупроводнике не может быть существенных некомпенсированных объемных зарядов ни в равновесном состоянии, ни при наличии тока. [50]

Возникающая в результате этого диффузия заряженных частиц ( электронов) нарушает электрическую нейтральность, существовавшую в однородном полупроводнике до его неравномерного освещения. [51]

В заключение отметим, что запорные слои, которые рассматривались до сих пор, образуются на границе однородного полупроводника контактным полем металла или поверхностным зарядом адсорбированных атомов. Такие слои называются физическими запорными слоями. Запорный слой может быть получен и другим путем, например нанесением на полупроводник тонкого слоя другого вещества с большим удельным сопротивлением. Слои, созданные веществом, отличающимся по составу от основного материала, называются химическими запорными слоями. [52]

Часть полупроводниковой микросхемы в разрезе ( а и ее электрическая схема ( б.| Элементы полупроводниковых микросхем. [53]

В качестве конденсаторов используют обратно смещенные р-п-пе-реходы ( рис. 13.2); в качестве резисторов - участки однородного полупроводника, ограниченные р-п-переходами. [54]

Здесь учтено, что Vrfo B уравнении (7.17) при отсутствии градиента температур ( VT 0) и для однородного полупроводника ( VF 0) равен нулю. [55]

Второй случай реализуется при подключении внешнего напряжения: как отмечалось в связи с рис. 1 - 17, б, протекание тока в однородном полупроводнике не вызывает перераспределения концентраций носителей. [56]

Перевод электронов в состояние с высокой энергией производится либо с помощью достаточно высокого переменного напряжения, ( каждая полуволна этого напряжения вызывает люминесцентную вспышку в однородном полупроводнике), либо путем инжекции электронов в р-п переход при пропускании прямого тока. [57]

Страницы: 1 2 3 4