Однородный полупроводник
Cтраница 2
 |
Движение носителей заряда в р-п переходе. [16] |
При наличии контакта однородных полупроводников с разными типами электропроводности уровень Ферми в равновесном состоянии должен быть единым. [17]
Исходя из представлений об однородном полупроводнике, трудно объяснить не только электропроводность покрытия, но и ряд других явлений. Лошес и Винк [13] предложили теорию, в которой неоднородность связывается с пористостью покрытия. [18]
 |
Зонные диаграммы неоднородного полупроводника ( а и однородного полупроводника при наличии внешнего электрического. [19] |
Все предыдущие зонные диаграммы соответствовали однородным полупроводникам, в которых примеси распределены совершенно равномерно. Разумеется, однородный полупроводник является некоторой идеализацией. Более того, часто специально создают неоднородность внутри кристалла в виде градиента концентрации примесей, что придает полупроводнику свойства, необходимые для ряда приборов. Посмотрим, каковы особенности неоднородных полупроводников. [20]
 |
Зонные диаграммы неоднородного полупроводника ( а и однородного полупроводника при наличии внешнего электрического поля ( б. [21] |
Все предыдущие зонные диаграммы соответствовали однородным полупроводникам, в которых примеси распределены совершенно равномерно. Разумеется, однородный полупроводник является некоторой идеализацией. [22]
 |
Энергетическая схема для металла, покрытого толстым слоем полупроводника. [23] |
Рассмотрим металл, покрытый плоскопараллельной пленкой однородного полупроводника, содержащего в общем случае как донорные, так и акцепторные примеси, равномерно распределенные в объеме полупроводника. На свободной поверхности полупроводника происходит хемосорбция газа. [24]
В этом параграфе рассмотрим эффект Холла в однородном полупроводнике в изотермических условиях в предположении, что в нем имеется несколько типов носителей заряда. [25]
Отметим, что при прохождении дрейфового тока через однородный полупроводник концентрация носителей заряда в любом элементарном объеме остается постоянной. [26]
Такие объемные ЭДС, возникающие при неравномерном возбуждении однородного полупроводника, как уже отмечалось в § 52, называют ЭДС Дембера. [27]
В этом параграфе мы рассмотрим эффект Холла в однородном полупроводнике в изотермических условиях в предположении, что в нем имеется несколько типов носителей заряда. Это может быть собственный полупроводник, полупроводник в области смешанной проводимости или полупроводник в области примесной проводимости при наличии носителей заряда нескольких масс, например, р - Si или р - Ge, в которых имеются легкие и тяжелые дырки. [28]
Диффузионная длина - расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. [29]
 |
Схема контактного транзистора. [30] |
Страницы: 1 2 3 4