Однородный полупроводник

Cтраница 3

Вывести уравнения, определяющие распределение равновесного потенциала вблизи границы однородного полупроводника с постоянной концентрацией доноров Nd, предполагая, что при данной температуре атомы примеси полностью ионизованы. [31]

Электротермический аффект - выделение или поглощение тепла в объеме однородного полупроводника, обусловленное продольным градиентом температуры, при прохождении через полупроводник электрического тока. [32]

Диод Ганна ( рис. 10.47) представляет собой образец однородного полупроводника, чаще всего арсенида галлия ( GaAs) n - типа ( концентрация свободных носителей заряда 1013 - 10й см 3), с металлическими контактами / С. [33]

Оно наблюдается, например, при прохождении электрического тока через однородный полупроводник. Второй тип неравновесных состояний наблюдается в том случае, когда концентрация частиц изменяется в результате действия внешних или внутренних факторов. [34]

Рассмотрим теперь особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда в однородных полупроводниках. Пусть в однородном полупроводнике существует неоднородное распределение носителей заряда п ( х) и р ( х), вызванное, например, локальным освещением образца. [35]

Покоящиеся и движущиеся электрические неоднородности ( домены и шнуры) в однородных полупроводниках. [36]

Таким образом, несмотря на разнообразные отступления, мы считаем т-ипичным для однородного полупроводника ход, изображенный на рис. 1 сплошной линией. Наклон прямой на участке Ех Е в сильной степени зависит от температуры. При - 180 С электропроводность возрастает на 4 % при увеличении поля на 103 в / см. При температуре - 80 С то же изменение поля увеличивает ее на 20 %, а при комнатной - в несколько раз. Так как с повышением температуры различие в проводимости отдельных участков образца сглаживается, то возрастание крутизны роста о с полем нельзя объяснять присутствием неоднородностей. [37]

Таким образом, несмотря на разнообразные отступления, мы считаем типичным для однородного полупроводника ход, изображенный на рис. 1 сплошной линией. Наклон прямой на участке Ек Е в сильной степени зависит от температуры. При - 180 С электропроводность возрастает на 4 % при увеличении поля на 103 в / см. При температуре - 80 G то же изменение поля увеличивает ее на 20 %, а при комнатной - в несколько раз. Так как с повышением температуры различие в проводимости отдельных участков образца сглаживается, то возрастание крутизны роста а с полем нельзя объяснять присутствием неоднородностей. [38]

Многие годы вообще считали, что 1 / / - шум есть у однородных полупроводников, но его нет у однородных металлических пленок. Было хорошо известно, что у негомогенных металлических слоев, состоящих из островков или областей с небольшими контактами между ними, имелся l / f - шум. [39]

Здесь и далее всюду опущена зависимость / от г, так как рассматриваются лишь однородные полупроводники. [40]

Образование р-л-перехода при контакте полупроводника с металлом. [41]

До сих пор мы рассматривали только такие запорные слои, которые образуются на границе однородного полупроводника контактным полем металла или поверхностным зарядом адсорбированных атомов. Эти слои называются физическими запорными слоями. Однако запорный слой может быть получен и другим путем, например нанесением на полупроводник тонкого слоя другого вещества с большим удельным сопротивлением. Такие слои, созданные веществом, отличающимся по составу от основного материала, называются химическими запорными слоями. [42]

Классификация полупроводниковых приборов. [43]

В полупроводниковых резисторах применяется изотропный полупроводниковый материал, и их электрические характеристики определяются электрическими свойствами однородного полупроводника. В полупроводниковых диодах используются полупроводники с различными типами электропроводности, которые образуют один р-я-переход. Электрические характеристики диода определяются электрическими свойствами этого р-я-перехода. [44]

Особенность диодов Ганна в том, что они основаны на явлениях, возникающих в объеме однородного полупроводника. [45]

Страницы: 1 2 3 4