Сложный полупроводник
Cтраница 1
Сложные полупроводники состоят из атомов двух или большего числа химических элементов. К сложным полупроводникам относятся соединения элементов IV группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева ( А В) - карбид кремния, соединения элементов III и V групп ( AlllBv), соединения с серой, селеном и теллуром ( халькогениды), окислы некоторых металлов, многие двойные, тройные и четверные сплавы и твердые растворы, а также другие, более сложные соединения. [1]
Сложные полупроводники типа выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник: АГ - арсенид галлия, ФГ - фосфид галлия, ГС - антимонид галлия, ИМ - арсенид индия, ФИ - фосфид индия, ИС - антимонид индия. Справа добавляется буква, обозначающая тип электропроводимости: Э - электронный, Д - дырочный. [2]
Сложные полупроводники типа AU BV используются для изготовления диодов, транзисторов, сверхвысокочастотных приборов на основе эффекта Гана, модуляторов инфракрасного излучения, приемников излучения, солнечных батарей, лазеров, датчиков Холла, магниторезисторов и других приборов. В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсеиидов и антимонидов галлия и индия. [3]
Сложные полупроводники типа AHIBV используются для изготовления диодов, транзисторов, сверхвысокочастотных приборов на основе эффекта Гана, модуляторов инфракрасного излучения, приемников излучения, солнечных батарей, лазеров, датчиков Холла, иагниторезисторов и других приборов. [4]
Для многих сложных полупроводников не известны данные, необходимые для расчета концентраций примеси, создающей глубокие уровни ( положение энрегетических уровней, эффективные плотности состояний и др.) и компенсирующей ее простой донорной или акцепторной примеси. Тогда концентрацию такой примеси, необходимой для создания в монокристалле полупроводника требуемых свойств, например удельного электрического сопротивления, определяют экспериментально. Для этого выращивают монокристаллы из расплавов с различным содержанием легирующей примеси ( проценты по массе), как это показано на рис. 4.17 для легированного примесью железа полуизолирующего фосфида индия. [5]
Технология получения монокристаллов сложных полупроводников является более сложным процессом, чем получение элементарных полупроводников. [6]
Известно около 1000 простых и сложных полупроводников. [7]
Выше отмечалось, что сложные полупроводники, за небольшим исключением, имеют практическую ценность только в высокочистом состоянии. [8]
 |
Схематическая картина зонной структуры цинковой обманки. а решетка цинковой обманки без учета спина. б решетка цинковой обманки с учетом спина. [9] |
Следовательно, структура зон сложных полупроводников типа халькопирита, за исключением некоторых особенностей, аналогична структурам зон алмазоподобных элементарных и бинарных полупроводников. [10]
Применимость этих формул к сложным полупроводникам, насколько нам известно, почти не проверялась, однако входе исследований, посвященных синтезу новых полупроводниковых материалов и предсказанию их свойств, вышеуказанные методы определения в могут оказать существенную помощь. [11]
Процессы, происходящие в сложных полупроводниках, до сих пор полностью не изучены и результаты во многом носят эмпирический характер. [12]
ПМ-СС происходят также в сложных полупроводниках, напр, во фруст-рированных тройных халькогенидных сплавах с широкой ( Cd1 JCMnxTe) и узкой ( Hg. Se) запрещенными зонами, где преобладающим при х 5л: Кр 0 16 является прямое антиферромагн. [14]
Влияние химических примесей на свойства сложных полупроводников точно такое же, как и на элементарные полупроводники, хотя во многих материалах на количество носителей заряда оказывают влияние также и дефекты кристаллической решетки ( вакансии и междоузлия), возникающие вследствие неполной стехиометрии. Наблюдаются также изменения валентности, обусловленные присутствием примесей в кристалле. Так, одновалентный литий, содержащийся в NiO, приводит к образованию ионов трехвалентного никеля в равной концентрации; эти ионы трехвалентного никеля непосредственно определяют количество носителей тока, а следовательно, и проводимость. [15]
Страницы: 1 2 3 4