Сложный полупроводник

Cтраница 4

Добавление окиси висмута в окись молибдена и вольфрама приводит к возникновению новых соединений типа Bi Mo /) 2 и Bi WjPz. На этих системах пропилен окисляется только в акролеин и продукты глубокого окисления, а насыщенных альдегидов и кислот не образуется. Bi является оптимальным для процесса окисления пропилена в акролеин на этих катализаторах. Вероятно, для процесса окисления пропилена на сложных полупроводниках, так же как и для простых окислов металлов, существенно образование заряженных комплексов, зависящих от электронных свойств поверхности. [46]

Чистые материалы необходимы для исследования радиационных эффектов в полупроводниках. Неконтролируемые примеси сильно затрудняют эти исследования. Этот пример должен послужить уроком при планировании предстоящих экспериментов в области радиационной физики сложных полупроводников: нельзя рассчитывать на серьезный успех в изучении природы дефектов в этих материалах, пока в распоряжении исследователей не будет достаточно чистых образцов или, по крайней мере, материалов с известным содержанием примесей. Между тем исследование радиационных дефектов представляет не только научный интерес: без знания природы радиационных нарушений невозможно решить проблему радиационной стойкости и успешно внедрять в практику метод ионной имплантации - один из наиболее перспективных методов электронной техники. [47]

Вольт-амперные характеристики фотодиода для фотодиодного режима.| Энергетические характеристики фотодиода [ IMAGE ] - 6. Принцип устройства планарного фотодиода. [48]

Интегральная чувствительность фотодиода обычно составляет десятки миллиампер на люмен. Она зависит от длины волны световых лучей и имеет максимум при некоторой длине волны, различной для разных полупроводников. Они могут работать на частотах до несколь-ких сотен мегагерц. А у фотодиодов со структурой р - г - п граничные частоты повышаются до десятков гигагерц. Рабочее напряжение у фотодиодов обычно бывает 10 - 30 В. Темновой ток не превышает 10 - 20 мкА для германиевых приборов и 1 - 2 мкА - для кремниевых. Ток при освещении составляет сотни микроампер. В последнее время разработаны фотодиоды из сложных полупроводников, наиболее чувствительные к инфракрасному излучению. [49]

Страницы: 1 2 3 4