Сложный полупроводник
Cтраница 2
Например, из германия и арсенида галлия приготовляют сложный полупроводник для высокочастотных диодов. [16]
 |
Схема зонной плавки. [17] |
Меняя состав в пределах широты области гомогенности - или вводя примеси в сложные полупроводники, мы получаем очень широкий диапазон свойств, который может удовлетворить запросам современной электроники. [18]
Локальный анализ отобранных микрофаз может оказаться полезным при контроле зонной плавки и оценке степени очистки монокристалла сложного полупроводника. В случае легированных сложных полупроводниковых соединений этот метод будет неза меним для оценки равномерности распределения легирующих примесей как по поверхности, так и по объему образца. [19]
Знание основных физико-химических свойств полупроводников ( плотность, температура плавления, давление пара самого полупроводника и составляющих его компонентов для сложных полупроводников и т.п.), диаграмм состояния систем, в которых образуются сложные полупроводники, и диаграмм состояния полупроводник - легирующая примесь необходимо для разработки технологии и аппаратуры для получения полупроводников, выращивания их монокристаллов и эпитаксиальных слоев. [20]
 |
Разделение возбуждаемых светом электронно-дырочных пар на р - и-переходе. [21] |
Объемная фотоэдс-вызывается разделением пар носителей на неоднородностях в объеме образца, создаваемых изменением концентрации легирующей примеси, или изменением хим. состава сложных полупроводников. Причиной разделения пар является т.н. встроенное электрич. Оно создается в результате изменения положения уровня Ферми & f, зависящего от концентрации примеси, а в образцах с перем. [22]
Селен используется для обесцвечивания зеленого стекла, для изготовления селеновых выпрямителей и фотоэлементов, для вулканизации каучука и др. Ряд селенидов используется в качестве сложных полупроводников. Как добавка применяется в различных сплавах, улучшая их механические свойства. [23]
Знание основных физико-химических свойств полупроводников ( плотность, температура плавления, давление пара самого полупроводника и составляющих его компонентов для сложных полупроводников и т.п.), диаграмм состояния систем, в которых образуются сложные полупроводники, и диаграмм состояния полупроводник - легирующая примесь необходимо для разработки технологии и аппаратуры для получения полупроводников, выращивания их монокристаллов и эпитаксиальных слоев. [24]
Сложные полупроводники состоят из атомов двух или большего числа химических элементов. К сложным полупроводникам относятся соединения элементов IV группы периодической системы элементов Д. И. Менделеева ( А В) - карбид кремния, соединения элементов III и V групп ( AlllBv), соединения с серой, селеном и теллуром ( халькогениды), окислы некоторых металлов, многие двойные, тройные и четверные сплавы и твердые растворы, а также другие, более сложные соединения. [25]
Некоторые примеси и виды дефектов решетки могут очень сильно влиять на электрические свойства полупроводников Например, добавка одного атома бора на 10 атомов, кремния увеличивает электропроводность при комнатной температуре в тысячу раз по сравнению с чистым кремнием. В сложных полупроводниках ( бинарных, тройных) недостаток по сравнению со стехиометрией одного из компонентов может давать тот же эффект, что и примесь. Такие полупроводники называются полупроводниками с нарушенным сте-хиометричвсвим составом. [26]
 |
Схема автоматической регулировки усиления при помощи ТС с косвенным подогревом. Схема используется также и для предохранения усилителя от перегрузок. [27] |
В СССР начало работ в области термосопротивлений было положено Б. Т. Коломийцем [ 1В ], разработавшим первые образцы ТС из различных материалов. Всестороннее обследование свойств ряда сложных полупроводников и детальное изучение механизма электронной проводимости в этих веществах, проведенное в НИИ МРТП, завершилось разработкой производственной технологии изготовления ТС. [28]
В технике основное значение имеют элементарные полупроводники, прежде всего, германий и кремний. Широко используются в настоящее время и двойные соединения ( сложные полупроводники), а также селен и карбид кремния. Тройные и более сложные соединения находятся в стадии изучения. [29]
В последнее время широкое распространение получили полупроводниковые материалы на основе оксидов ( Cu2O, Fe2O3) Mn304, А12О3 ZnO), сульфидов ( PbS, CdS, ZnS, Bi2S3), селенидов и теллуридов ( CdSe, PbSe, HgSe, CdTe, PbTe, Bi2Te3), в которых ковалентный характер связи реализуется в подрешетке анионообразователя. Большую роль в некоторых областях современной техники играют и более сложные полупроводники, например твердые растворы CdTe-HgTe, PbTe-SnTe. [30]
Страницы: 1 2 3 4