Сложный полупроводник
Cтраница 3
Под действием облучения число свободных носителей зарядов ( в сложных полупроводниках - электронов п дырок) в них увеличивает ся. [31]
Си, так как при этом напряженность внешнего поля оказывается направленной от слоя закиси меди, обогащенной кислородом, характеризующимся недостатком электронов, к слою закиси меди, обогащенному атомами меди и характеризуемому избытком электронов, и тем самым выполняются общие условия получения сложным полупроводником хорошей проводимости. Таким образом, меднозакисный выпрямительный элемент обладает односторонней проводимостью тогда, когда его свинцовая шайба, соединенная с полупроводником, оказывается анодом, а медный диск / - катодом. [32]
В простых полупроводниках, состоящих в основном из атомов одного химического элемента, примесями являются чужеродные атомы. В полупроводниковых соединениях и твердых растворах, состоящих из атомов двух или большего числа химических элементов, примесями могут быть не только включения атомов посторонних химических элементов, но и избыточные по отношению к стехиометрическому составу атомы химических элементов, входящих в химическую формулу сложного полупроводника. [33]
В элементарных полупроводниках, состоящих в основном из атомов одного химического элемента, примесями являются чужеродные атомы. В полупроводниковых соединениях и твердых растворах, состоящих из атомов двух или большего числа химических элементов, примесями могут быть не только включения атомов посторонних химических элементов, но и избыточные по отношению к стехиометрическому составу атомы химических элементов, входящих в химическую формулу сложного полупроводника. [34]
 |
Зависимость константы скорости реакции ( уд окисления пропилена на кобальт-марганцевых шпинелях от содержания в них окислов. [35] |
Изменение энергии активации электропроводности не связано с изменением Е реакции. На рис. 73 показана зависимость скорости реакции w при добавлении к кобальт-марганцевой шпинели окислов лития, титана и меди. Для таких сложных полупроводников неприменимы простые модели, используемые в электронной теории катализа; связь между электронными свойствами поверхности и объема шпинелей с кинетическими характеристиками процесса более сложная. Теоретическая работа [294] по механизму передачи зарядов в решетке шпинелей показывает, что для этих соединений существенны расстояния между катионами, ответственными за перенос заряда, который осуществляется по эстафетному механизму. [36]
Если объединяются два полупроводника п-и / хгипов, то р-и-переход не возникает из-за поверхностного состояния. Этот тончайший слой наделяет сложный полупроводник новыми удивительными свойствами, широко используемыми в радиоэлектронике. Отрицательные ионы, образованные трехвалентными атомами примеси, отталкивают на границах оооих полупроводников свободные электроны, идущие от Полупроводника с пятивалентными примесями. В прилегающей к границе касания области все атомы-акцепторы заполняются электронами. [38]
Удачным сочетанием таких качеств обладают некоторые сложные полупроводники, являющиеся эффективными фотокатодами. [39]
Эмиссионная способность материала характеризуется квантовым выходом К равным отношению числа освобожденных электронов ( фотоэлектронов) к числу падающих фотонов. Удачным, сочетанием таких качеств обладают некоторые сложные полупроводники, являющиеся эффективными фотокатодами. [40]
Книга посвящена важнейшим проблемам химической связи в полупроводниках, металлах н других твердых телах. В ней приводятся результаты теоретического и экспериментального исследования природы химической связи на основе рентгенографического, рентгеноспектрального, ней-тронографического анализов, данные термодинамического и термохимического исследований полупроводниковых соединений. Рассматриваются вопросы исследования физических и физико-химических свойств сложных полупроводников, анализируется связь физических свойств, зонной структуры, динамики кристаллической решетки с характером химической связи. [41]
Процессы изготовления р-п переходов методами диффузии и газовой эпи-такеии хорошо отработаны и применяются при изготовлении большинства кремниевых приборов и кремниевых интегральных микросхем, поэтому при изготовлении СИД эти методы пока остаются основными, хотя р-п переходы, полученные методами жидкостной эпитаксии, являются самыми эффективным источниками излучения. Однако в отличие от диффузии в кремний диффузия в сложные полупроводники имеет ряд особенностей, усложняющих отработку процесса диффузии. [42]
Оз, Мп3О4, А12О3, ZnO), сульфидов ( PbS, CdS, ZnS, Bi2S3), селе-нидов и теллуридов ( CdSe, PbSe, HgSe, CdTe, PbTe, Bi2Tes), в которых ковалентный характер связи реализуется в подрешетке анионообразователя. Большую роль в некоторых областях современной техники играют и более сложные полупроводники, например твердые растворы CdTe - HgTe, PbTe - SnTe. [43]
Рекомбинация избыточных электронно-дырочных пар сопровождается выделением энергии - при переходе электрона, например, из зоны проводимости в валентную зону выделяется энергия, равная ширине запрещенной зоны &3. Эта энергия может выделяться либо в виде кванта света - излучательная рекомбинация, либо в виде тепловой энергии, отдаваемой атомам кристаллической решетки, - безызлуча-тельная рекомбинация. Излучение, возникающее при излучательной рекомбинации избыточных носителей, созданных электрическим полем ( или током, например инжекцией) называют электролюминесценцией. Электролюминесценция эффективна в сложных полупроводниках ( арсениде и фосфиде галлия, тройных полупроводниковых соединениях и др.), в элементарных полупроводниках ( кремний, германий) она проявляется слабо. [44]
Страницы: 1 2 3 4