Сильно легированный полупроводник

Cтраница 1

Сильно легированные полупроводники вполне могут рассматриваться как плохо проводящие металлы. И в тех, и в других веществах уровень Ферми находится в зоне проводимости. [1]

В сильно легированных полупроводниках, где электронная плазма экранирует взаимодействие зарядов, экситоны, как правило, не образуются. [2]

В сильно легированных полупроводниках экситоны не образуются из-за сильного экранирования кулоновского взаимодействия. Однако экспоненциальное убывание коэффициента поглощения наблюдается и в этом случае. [3]

В сильно легированных полупроводниках примесные уровни в запрещенной зоне сливаются друг с другом и образуют примесную зону, смыкающуюся с дном зоны проводимости в полупроводниках л-типа или с потолком валентной зоны в полупроводниках р-типа. Уровень Ферми при этом оказывается расположенным либо в зоне проводимости, либо в валентной зоне. [4]

В сильно легированных полупроводниках, когда имеет место фермиевское вырождение в одной из зон, состояния вблизи экстремума этой зоны оказываются заполненными носителями заряда. Поэтому край кривой поглощения в этом случае сдвигается в сторону больших энергий. [5]

В сильно легированных полупроводниках наиболее вероятными центрами рассеяния являются ионы примеси. [6]

Уменьшение ширины запрещенной зоны в вырожденном полупроводнике. [7]

В сильно легированном полупроводнике, так же как и в металле, зона проводимости оказывается частично заполненной электронами даже при абсолютном нуле. Уровень Ферми в таком полупроводнике лежит вблизи границы разрешенной зоны. Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости, в валентной зоне или в запрещенной зоне в пределах энергии, равной kT, от ее границ, называют вырожденным. [8]

Схема заполнения уровня ловушек в полупроводниках п-типа ( а, собственном ( б и р-типа ( в. [9]

В сильно легированном полупроводнике р-типа ( рис. 6.11, в) уровень Ферми расположен вблизи валентной зоны ( рис. 6.10, я, область IV), поэтому концентрация дырок в валентной зоне велика и почти все ловушки пустые. В этом случае время жизни электронно-дырочной пары определяется захватом электронов ( концентрация которых мала) на уровень ловушки: как только электрон будет захвачен ловушкой, она мгновенно заполнится одной из дырок, число которых велико. Как и в материале n - типа, время жизни электронно-дырочных пар контролируется временем захвата неосновных носителей. [10]

Если использовать сильно легированный полупроводник, то обедненный слой можно сместить в одну из областей и при этом получаются нормальные диодные характеристики. Пропускное направление зависит от того, какой материал легирован сильнее. [11]

Получение подобных сильно легированных полупроводников, как было показано в главе 6, является далеко не тривиальной задачей. [12]

Пятая особенность сильно легированных полупроводников приводит ( в логическом плане) к необходимости ставить задачу об энергетическом спектре сильно легированного полупроводника в рамках современной теории многих тел. [13]

В случае сильно легированных полупроводников п - или р-типа тр и tn - постоянные, не зависящие от концентраций носителей тока. [14]

Образование примесной зоны у полупроводника электронного типа.| Перекрытие примесной зоны с зоной проводимости у полупроводника электронного. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5