Сильно легированный полупроводник
Cтраница 3
Следовательно, и в случае сильно легированных полупроводников электроны рассеиваются акустическими колебаниями упруго. [31]
 |
Поглощение света примесными центрами. [32] |
Как уже упоминалось, в сильно легированных полупроводниках возникает дополнительное поглощение, обусловленное свободными электронами. [33]
Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе сильно легированных полупроводников AnlBv / - типа электропроводности обладают более высокой спектральной чувствительностью по сравнению с класт сическими и позволяют сместить порог фотоэффекта в более длинноволновую область. [34]
Как известно, теоретическая интерпретация данных по сильно легированным полупроводникам чрезвычайно сложна. [35]
Ом 1 см-х, которая наблюдается в сильно легированных полупроводниках. [36]
 |
Зависимость времени жизни t носителей заряда от положения уровня Ферми при рекомбинации через локальные уровни захвата. [37] |
Ферми) показана на рис. 1.17. В случае сильно легированных полупроводников тп и тр не зависят от концентрации носителей заряда и являются величинами постоянными. [38]
При более низких температурах, а также в сильно легированных полупроводниках преобладающим механизмом рассеяния является рассеяние на примесях и дефектах. Если основное рассеяние происходит на заряженных центрах - донорах или акцепторах, то в невырожденных полупроводниках т растет пропорционально Г3 / 2, так как с увеличением энергии электронов вероятность их рассеяния на таких центрах уменьшается. При рассеянии на нейтральных дефектах время релаксации т не зависит от температуры. [39]
 |
Вольт-амперная характеристика германиевого туннельного диода ГИ304А ( а и германиевого переключательного обращенного диода ГИ403А ( б. [40] |
Вследствие этого, а также из-за особенностей энергетических зон сильно легированного полупроводника при обратных и небольших ( около 100 мВ) прямых напряжениях появляется так называемый туннельный ток, объясняемый квантово-механическим туннельным эффектом. При этом эффекте частица ( электрон) способна преодолеть потенциальный барьер, создаваемый встречным электрическим полем области пространственного заряда и превышающий ее кинетическую энергию. В обычных ( слабо легированных) р-п-переходах условия возникновения туннельного эффекта не выполняются, поэтому туннельный ток в них отсутствует. [41]
Формулу (3.58) можно использовать для определения эффективной массы электрона, сравнивая кривую поглощения сильно легированного полупроводника ( с иавестной концентрацией носителей) с кривой для относительно чистого образца. [42]
Время жизни tf максимально в собственном полупроводнике и равно времени захвата неосновного носителя заряда в сильно легированном полупроводнике. [43]
Время жизни ту максимально в собственном полупроводнике и равно времени захвата неосновного носителя заряда в сильно легированном полупроводнике. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5