Сильно легированный полупроводник

Cтраница 4

Этот же метод - при известной эффективной массе может послужить для измерения концентрации носителей заряда в сильно легированных полупроводниках и металлах. Однако на практике все усложняется вследствие размытия плазменного минимума. Аккуратный учет поглощения требует специальной методики обработки экспериментальных данных по плазменному отражению. [46]

Нам казалось, что книга значительно выиграет, если в ней будет глава, посвященная проблеме получения сильно легированных полупроводников. [47]

Структура гибридной интегральной микросхемы, наготовленной по совмещенной технологии. [48]

Тонкопленочный конденсатор представляет собой алюминиевую пленку, осаждаемую на слое двуокиси кремния ( первая обкладка), и сильно легированный полупроводник, используемый в качестве второй обкладки. Такое выполнение микросхемы по совмещенной технологии позволяет получить размеры ИС значительно меньшими по сравнению с гибридными ИС. Совмещенные ИС выгодны, если необходимы высокие номиналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей. [49]

Пятая особенность сильно легированных полупроводников приводит ( в логическом плане) к необходимости ставить задачу об энергетическом спектре сильно легированного полупроводника в рамках современной теории многих тел. [50]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [51]

Основное требование малой толщины p - n - перехода туннельного диода, как уже говорилось, обеспечивается применением сильно легированных полупроводников. Экспериментально установлено, что лучшими параметрами обладают туннельные диоды с базой из арсе-нида галлия, легированного цинком. Электронно-дырочный переход изготовляют вплавлением олова, обеспечивающего сильное легирование я-части кристалла в силу большой растворимости олова в арсениде галлия. Изготовляют также диоды из германия, легированного галлием. В этом случае переход получают вплавлением сплава олова с несколькими процентами мышьяка. [52]

При сильном легировании этот вид рассеяния практически не осуществляется, так как вплоть до самых низких температур в сильно легированных полупроводниках имеет место полная ионизация примесей. [53]

В дальнейшем ( § 3.3) будет показано, что, строго говоря, этой зависимостью пренебрегать нельзя, особенно в случае сильно легированных полупроводников, так как это может привести к существенным погрешностям. [54]

Схема заполнения вин в диэлектриках и полупроводниках ( а, металлах ( б и полуметаллах ( в.. р - Уро - б вень Ферми. [55]

В чистых полупроводниках и диэлектриках ( р проходит в запрещенной зоне, разделяющей валентную зону и зону проводимости; в металлах или сильно легированных полупроводниках - в разрешенной зоне. [56]

В последние годы большое внимание в физике конденсированной среды уделено исследованию процессов переноса в материалах с неупорядоченной структурой - жидкостях, стеклах, сильно легированных полупроводниках, неоднородных проводниках. Примерами последних могут служить сильно спрессованные смеси проводящих и непроводящих материалов; двухфазные системы, в которых одна фаза обладает значительно большей проводимостью, нежели другая; микропористые стекла, поры которых заполнены различными веществами. [57]

Из других термомагнитных эффектов следует упомянуть продольный эффект Нернста, принцип возникновения которого ясен из рис. 3.50. Какие-либо экспериментальные данные по этому эффекту в сильно легированных полупроводниках отсутствуют. Поэтому экспериментальные результаты по исследованию продольного эффекта не столь надежны, чтобы получать с их помощью информацию о механизме рассеяния электронов. [58]

Поскольку qim n не равен нулю для оптических фононов, волновой вектор экранирования в (5.50) не столь важен, для пьезоэлектрических акустических фононов, за исключением случая сильно легированных полупроводников. В отличие от рассеяния на акустических фононах рассеяние электронов на оптических фононах в основном приводит к релаксации энергии электронов, а не их импульсов. [59]

Так как для электронов среднее значение k при 300 К составляет примерно 107 см, а д0 по теории Дебая [22] равно 70 ( 6я2 / а3) / 108, то 7 акс дй; 2) сильно легированные полупроводники: Основное отличие от чистых полупроводников заключается в том, что электроны распределены по Ферми - Дираку, а не по Больцману. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5