Сильно легированный полупроводник

Cтраница 2

Рассмотрим случай сильно легированного полупроводника электронного типа. [16]

В достаточно сильно легированном полупроводнике р-типа электроны, являющиеся неосновными носителями, легко падают на пустые ловушки и быстро рекомбинируют с дырками, концентрация которых много больше. [17]

Диаграмма энергетических характеристик полупроводникового электрода в условиях фотоэмиссии.| Схема межзонных электронных переходов 1 - прямой переход. 2 - непрямой переход. [18]

Исключение составляют весьма сильно легированные полупроводники которые здесь не рассматриваются. [19]

Плотность состояний в чистом ( р и в сильно легированном ( р полупроводнике. [20]

Рассмотрение зонной структуры сильно легированного полупроводника с учетом двух зон и взаимодействия между ними [35] показало, что в этом случае в результате однозонного исследования нужно ввести лишь несущественные количественные поправки. [21]

Весьма важным свойством сильно легированных полупроводников вообще и, в частности, германия является независимость постоянной Холла от температуры в широком температурном интервале. [22]

Однако в случае сильно легированных полупроводников типа Ge подвижность носителей заряда в основном обусловлена рассеянием на ионизованных примесях, так что этот эффект можно не учитывать. Кроме того, даже если этот эффект и играет какую-то роль, то постоянная Холла при этом меняться не будет. [23]

Изменение положения уровня Ферми ( а и времени жизни неосновных носителей ( б в зависимости от концентрации основных носи. [24]

Область I соответствует сильно легированному полупроводнику - типа. [25]

Эквивалентная схема туннельного диода. [26]

При снижении степени легирования сильно легированного полупроводника туннельный эффект проявляется слабо и туннельный ток в прямой ветви вольт-амперной характеристики становится незначительным. Диоды, обладающие большим туннельным обратным и малым туннельным прямым токами, называются обращенными ( см. рис. 28, 6) и используются для переключения в наносекундном и пико-секундном диапазонах, а также для детектирования СВЧ-сигналов. [27]

Само по себе применение сильно легированных полупроводников в качестве исходного кристалла при образовании р - n - перехода с туннельным эффектом является условием необходимым, но не достаточным. Как уже указывалось, концентрация примесей на другой стороне р-л-перехода должна также приводить к вырождению электронного газа. Большая концентрация должна сочетаться с резким ( ступенчатым) спадом ее в области перехода. Только в этом случае переход будет достаточно тонким и в нем возникает необходимое для туннельного эффекта сильное поле. [28]

Возможно, что в сильно легированных полупроводниках роль электрон-электронного рассеяния должна уменьшаться, так как все рассеиваемые электроны имеют одну скорость, определяемую энергией Ферми. [29]

Фактическая же область применения таких сильно легированных полупроводников значительно шире. К ней относятся также лазерные и термоэлектрические устройства, полупроводниковые катализаторы, некоторые активные элементы твердых схем. Термин примесь, по сути дела, не обязательно понимать в буквальном смысле. Примесью можно называть любые точечные структурные дефекты, приводящие к нарушению идеальной периодичности внутреннего потенциального поля решетки. Предельный случай веществ рассматриваемого типа составляют неупорядоченные сплавы. Поэтому исследование сильно легированных полупроводников является составной частью более общей проблемы изучения неупорядоченных структур. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5