Различный полупроводник
Cтраница 1
 |
Усредненные спектральные характеристики различных фоторезисторов. [1] |
Различные полупроводники имеют ширину запрещенной зоны от десятых долей до трех электронвольт. Поэтому максимум спектральной характеристики различных фоторезисторов может находиться в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой частях электромагнитного спектра. [2]
Для различных полупроводников время жизни носителей имеет значение от 10 - 13 с до десятков и сотен секунд. [3]
Свойства различных полупроводников реагировать на изменения температуры, освещенности, электрического и магнитного полей позволило широко внедрить их в приборостроение и аппаратуру для автоматизации технологических процессов. [4]
 |
Критические значения напряженности магнитного поля Нкр в зависимости от температуры для некоторых сверхпроводников. [5] |
Удельные проводимости различных полупроводников приведены в табл. П - б приложения. [6]
 |
Схема включения фотодиода для работы в фотодиодном. [7] |
Для фоторезисторов применяют различные полупроводники, имеющие нужные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфракрасным лучам, а сернистый кадмий - к видимым лучам. [8]
Для фотосопротивлений используют различные полупроводники, например PbS ( ФС-А1), CdS ( ФС-К1), Bi2S3 ( ФС-Б1), CdSe ( ФС-ДО) и др. Между сопротивлением и потоком излучения Ф нет простой связи, кроме того, большое влияние оказывает температура. Поэтому фотосопротивления мало пригодны для прецизионных спектрофотометрических измерений. [9]
 |
Системы хлорид-бромид ( а и бромид-иодид таллия ( I ( б. [10] |
Входит в состав различных полупроводников, в частности стеклообразных, содержащих наряду с таллием мышьяк, сурьму, селен и теллур. Сульфид таллия применяется для изготовления фотосопротивлений, чувствительных в инфракрасной области спектра, в которых действующим веществом является один из продуктов окисления сульфида - T12SO2, так называемый таллофид. Радиоактивный изотоп 204Т1 применяется в качестве источника 0-излучения ( период его полураспада - 4 года) в приборах, контролирующих производственный процесс. Например, такими приборами измеряют толщину движущихся полотен бумаги или ткани. Этот же изотоп, как ионизирующее воздух вещество, используется в приборах для снятия статического заряда, возникающего при трении движущихся частей машин. [11]
Ширина энергетических зон различных полупроводников различна. Поэтому на границе раздела двух полупроводников ( на металлургическом контакте гетероперехода) получается обычно разрыв дна зоны проводимости. [12]
Материал по исследованиям различных полупроводников накапливается все нарастающими темпами. Все больше появляется работ, ставящих своей целью не только правильно описать поведение данного вещества, но и осветить вопрос теоретически, а также найти методы для сообщения материалу нужных для практики свойств. [13]
Ширина энергетических зон различных полупроводников различна. Поэтому на границе раздела двух полупроводников ( на металлургическом контакте гетероперехода) получается обычно разрыв дна зоны проводимости. [14]
Вследствие того, что различные полупроводники по-разному реагируют на свет различной длины волны, освещенности одинаковой интенсивности, но различного спектрального состава будут вызывать различные значения фототока даже у одного и того же элемента. Поэтому при определении интегральной чувствительности за эталон спектрального состава света принимают излучение вольфрамовой нити, температура которой равна 2 567 С. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5