Различный полупроводник
Cтраница 3
Рассмотрим сравнительную вероятность излучательной и без-ызлучательной рекомбинации в различных полупроводниках. Ван-Русбрек и Шокли, применив принцип детального равновесия к термодинамически равновесному рекомбинационному излучению, получили, что вероятность излучательной рекомбинации в некоторой спектральной области связана с вероятностью поглощения света, определяемой коэффициентом поглощения в той же. Оказалось, что излучательная межзонная рекомбинация вносит существенный вклад в суммарную скорость рекомбинации в полупроводниках, когда ширина запрещенной зоны не превышает 0 5 эВ и когда абсолютные экстремумы валентной зоны и зоны проводимости находятся при одинаковых значениях волнового вектора. [31]
Рассмотрим сравнительную вероятность излучательной и без-излучательной рекомбинации в различных полупроводниках. Ван-Русбрек и Шокли, применив принцип детального равновесия к термодинамически равновесному рекомбинационному излучению, получили, что вероятность излучательной рекомбинации в некоторой спектральной области связана с вероятностью поглощения света, определяемой коэффициентом поглощения в той же области спектра. Оказалось, что излучательная межзонная рекомбинация вносит существенный вклад в суммарную скорость рекомбинации в полупроводниках, когда ширина запрещенной зоны не превышает 0 5 эВ и когда абсолютные экстремумы валентной зоны и зоны проводимости находятся при одинаковых значениях волнового вектора. [32]
Рассмотрим сравнительную вероятность излучательной и без-ызлучательной рекомбинации в различных полупроводниках. Ван-Русбрек и Шокли, применив принцип детального равновесия к термодинамически равновесному рекомбинационному излучению, получили, что вероятность излучательной рекомбинации в некоторой спектральной области связана с вероятностью поглощения света, определяемой коэффициентом поглощения в той же. Оказалось, что излучательная межзонная рекомбинация вносит существенный вклад в суммарную скорость рекомбинации в полупроводниках, когда ширина запрещенной зоны не превышает 0 5 эВ и когда абсолютные экстремумы валентной зоны и зоны проводимости находятся при одинаковых значениях волнового вектора. [33]
Белянский ЧЮ6 ], продолжая свои опыты, исследовал различные полупроводники я-типа, приготовленные на основе ZnO, а также полупроводники р-типа, например Cr2O3 - MgO. [34]
При этом речь идет не о простом контакте двух различных полупроводников, а о едином монокристалле, у которого одна область легирована акцепторной примесью, а другая - донорной. Способы получения таких полупроводниковых структур будут описаны в гл. [35]
Хотя наше понимание факторов, определяющих разрыв зон двух различных полупроводников, является не полным, в технике изготовления и контроле формы разрыва зон достигнут большой прогресс. Многочисленные сравнения экспериментальных результатов и теоретических расчетов показали, что разрывы краев зон могут быть весьма резкими. Последнее делает простую прямоугольную яму хорошим приближением для большинства КЯ. Поэтому мы не будем больше обсуждать различные теории, предложенные для объяснения разрыва зон, а предположим, что его величина известна из эксперимента. Например, было найдено, что в технологически важных КЯ GaAs / GaAlAs и InGaAs / InP значения Q равны 0 6 [9.7] ( как уже упоминалось в § 5.3) и 0 3 [9.8] соответственно. [37]
 |
Градуировочная кривая, используемая в конденсаторном методе измерения удельного сопротивления.| Взаимное расположение датчика и образца в беззондовом методе Фистуля - Оржевского. [38] |
Характерным преимуществом этого метода является совпадение группировочных кривых для различных полупроводников. Это обусловлено тем, что глубина проникновения электромагнитного поля в образец определяется магнитной проницаемостью полупроводника, а эта величина для всех полупроводниковых материалов не отличается от единицы. [39]
В начатом нами исследовании явлений, происходящих на границе двух различных полупроводников, мы расположили последние в определенный ряд так, чтобы каждый предыдущий ( по отношению к последующему) пропускал положительный ток, а последующий ( по отношению к своему предшественнику) - отрицательный ток. Таким образом, два потока - электронов и дырок - идут навстречу друг другу. Электроны заполняют дырки, и ток идет беспрепятственно. Но предположим, что направление тока изменилось: электроны уходят из металла, и на границе образуется слой, в котором свободных зарядов нет. [40]
Легкая смешиваемость многих соединений AIHBV позволяет образовывать гетеропереходы из двух различных полупроводников. Такие переходы являются особенно подходящими для эммитеров транзисторов, так как характеризуются большой инжекцией в одном направлении, а именно, из полупроводника с большой величиной Eg в другой полупроводник. [41]
Рассмотрим энергетические соотношения, существующие в термоэлектрической цепи из двух различных полупроводников. [42]
Мы видим, что одно и то же явление в различных полупроводниках может зависеть от ряда различных механизмов. Более того, существует опасность, что некоторые заключения, сделанные по результатам исследования германия, могут носить частный характер и не допускать обобщения. [43]
В таблице 7.3 приведены длины волн света, генерируемого диодами из различных полупроводников. [44]
Дефекты по Френкелю, как и дефекты по Шоттки встречаются в различных полупроводниках. Их число растет с температурой. Вблизи температуры плавления концентрация таких термодинамически равновесных искажений может достигать 1 - 2 / 0 от общего чпсла атомов. Так как образование каждого дефекта требует затраты энергии на преодоление барьера, то рост числа барьеров с температурой повышает теплоемкость. В бромистом серебре, например, перед его плавлением теплоемкость повышается с 13 до 35 кал. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5