Различный полупроводник

Cтраница 2

Схем устройства фотосопротивления ( а и схема его включения. [16]

Например, наибольшая фоточувствительность различных полупроводников падает на различные интервалы длин волн. Очень хорошими фотоэлектрическими свойствами обладает CdS. Он реагирует только на излучение с длиной волны 0 5 мкм, а его сопротивление при освещении может уменьшаться в миллион раз. [17]

На границе раздела двух различных полупроводников или полупроводника с металлом возникают потенциальные барьеры и изменяется концентрация носителей заряда. Электрические параметры переходного слоя оказываются зависимыми от величины и знака приложенного к нему внешнего напряжения. [18]

Материальной базой полупроводниковой электроники служат различные полупроводники. Особенностью этого класса веществ является способность сильно изменять свои свойства под влиянием незначительных внешних воздействий: температуры, давления, освещения, электрического и магнитного полей и др. Такой способностью не обладают никакие другие вещества в природе. Например, полупроводниковый датчик температуры ( болометр) обнаруживает тепловое излучение горящей спички на расстоянии в несколько километров. [19]

Спектральная кри - влияющие на точность и. воспроизводи-вая чувствительности селе - мость результатов. [20]

В этом случае могут применяться различные полупроводники, из которых чаще всего используются талло-фид ( сплав сульфида и окиси таллия), сульфид свинца и селен. Таллофидные и сернистосвинцовые фотосопротивления более чувствительны в инфракрасной области J - - спектра, однако применение их ограничено. [21]

Так как ширина энергетических зон различных полупроводников различна, то на металлургическом контакте гетероперехода получается обычно разрыв дна зоны проводимости. [22]

Ее значения в эВ для различных полупроводников указаны на рис. III.3.10 в кружках. [23]

Значения L и т в различных полупроводниках изменяются в очень широких пределах. Укажем для примера, что в очень чистом германии при комнатных температурах т может составлять около 1 с, что соответствует длине диффузии L в несколько сантиметров. При наличии примесей ( или иных структурных дефектов) т и L могут уменьшаться на много порядков. [24]

В производственных условиях для выращивания монокристаллов различных полупроводников наибольшее применение находят установки, в которых выращивание монокристаллов осуществляется методом Чохральского. Мощность таких установок определяется массой загрузки исходного материала в тигель. Самые мощные установки, имеющие загрузку до 50 кг, используют в производстве монокристаллического кремния. Намного ниже этот показатель в установках для выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений, в частности для выращивания наиболее распространенного из них ( арсенида галлия) он доходит до 18 кг. [25]

Гетеропереходом называют электрический переход при контакте различных полупроводников, отличающихся по ширине энергетических зон. При образовании таких контактов происходит перераспределение носителей заряда, что приводит к появлению контактной разности потенциалов и к выравниванию уровней Ферми. [26]

Схема измерения по методу. [27]

К группе больших сопротивлений относятся сопротивления различных полупроводников и диэлектриков. Наиболее распространенными измерениями этого вида являются измерения, имеющие целью контроль за состоянием изоляции электротехнических установок. [28]

Исследования по изучению природы внутреннего фотоэффекта различных полупроводников показали, что нек-рые из них могут служить индикаторами И. Кристалл молибденита ( Мо8г), помещенный между электродными держателями и включенный в цепь батареи 20 - 40 V, оказывается переменным фотосопротивлением, к-рое изменяется в различных частях инфракрасного спектра, обнаруживая максимумы ок. Дальнейшее продвижение по спектру маскируется нагреванием кристалла и термич. Селен в смеси с теллуром ( от 0 5 до 1 %) также имеет значительную чувствительность в инфракрасном спектре, до 12 ft, с максимумом однако на 0 7 /, и служит основным веществом при изготовлении фотоэлементов для инфракрасных лучей фирмы Сименс. Но наиболее широкое распространение получил таллофид Т. К. Кэза, чувствительный слой к-рого представляет собой диокси-сульфид таллия. [29]

Транзистор, напомним, состоит из трех различных полупроводников: эмиттера, базы и коллектора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5